模电课件第1章-半导体器件.ppt

（三）电流分配及放大作用 实验电路 IB IE IC RC RB EB + - + - EC mA mA μA 调RB改变发射极电压UBE和基极电流IB 不同IB对应不同的IC和IE 第三节、半导体三极管 1、电流通路 2、电流流向 IB IE IC NPN型：IC、 IB流入， IE流出 PNP型：IC、 IB流出， IE流入 RC RB + - EC EB + - 第三节、半导体三极管 IB(mA) 0 -0.004 0.02 0.04 0.06 IC(mA) 0.001 0.004 0.70 1.50 2.30 IE(mA) 0.001 0 0.72 1.54 2.36 3、电流关系 （1）IE=IB +IC （2）IC?IB IE≈IC 结论 符合基尔霍夫电流定律 第五节、半导体三极管 测量数据 IB(mA) 0 -0.004 0.02 0.04 0.06 IC(mA) 0.001 0.004 0.70 1.50 2.30 IE(mA) 0.001 0 0.72 1.54 2.36 （3）I B 与IC的比例为常数 称直流电流放大系数，用β表示 电流放大作用 第三节、半导体三极管 测量数据 IB(mA) 0 -0.004 0.02 0.04 0.06 IC(mA) 0.001 0.004 0.70 1.50 2.30 IE(mA) 0.001 0 0.72 1.54 2.36 (4) I B微小变化引起了IC较大变化 称交流电流放大系数，用β表示 第五节、半导体三极管 （5）当 IE＝ 0，e极开路时 ICBO b c e P N N IB(mA) 0 -0.004 0.02 0.04 0.06 IC(mA) 0.001 0.004 0.70 1.50 2.30 IE(mA) 0.001 0 0.72 1.54 2.36 ICBO为反向饱和电流 第三节、半导体三极管 (6) 当 IB＝ 0，b极开路时 e b c P N N IB(mA) 0 -0.004 0.02 0.04 0.06 IC(mA) 0.001 0.004 0.70 1.50 2.30 IE(mA) 0.001 0 0.72 1.54 2.36 ICEO 为穿透电流 ICEO 电流从c区穿过b区流到e区 三极管电流放大作用 第三节、半导体三极管 复合 收集 发射 三极管结构确定后,IB与IC比例为常数。 基区薄,掺杂浓度低,复合少,IB小。 比例系数 IB微小变化引起IC较大变化： 结电压变，IE变，复合的IB小变化，收集的IC大变化。 第三节、半导体三极管 直流电流放大系数 交流电流放大系数 以IB小变化控制IC大变化 　 放大实质 重要公式 第三节、半导体三极管 [例 ] 判断三极管的电极、类型、材料。 3.5V 2.8V 12V 类型： 材料： 电极： 讨论 + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e UBE 硅0.6~0.8 取0.7V 锗0.1~0.3 取0.2V 电位居中—b极 两电位靠得近—e极 剩下－c极 NPN:VC最高 PNP:VC最低 解题思路 第三节、半导体三极管 三、特性曲线 IB IC UCE + - + - UBE 输入特性曲线：UCE一定时，IB~ UBE关系 输出特性曲线： IB 一定时， IC~UCE关系 管子各电极电压与电流的关系曲线，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 可调电源 限流电阻 限流电阻 EB + - RB RC + - EC μA mA V V 第五节、半导体三极管 (一) 输入特性曲线 e结相当一个二极管,但要受输出UCE的影响 UCE?1V IB/mA UBE/V O UCE=3V UCE=0V IB/mA UBE/V O IB IC UCE + - + - UBE RB RC + - EC EB + - μA mA V V 近似重合 第三节、半导体三极管 （二）输出特性曲线 截止区 饱和区 IB IC UCE + - + - UBE RB RC + - EC EB + - μA mA V V IB1=0 IB2=20μA IB3=40 IB4=60 IB5=80 IB6=100 0 UCE/V IC/mA 1 2 3 4 3 6 9 12 放大区 第三节、半导体三极管 三个工作区域 1、截止区： IB=0以下区域，IC≈0 特点：失去放大作用。 截止区 IB1=0 IB2=20μA I