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模拟电子线路 第 2 章　晶体三极管 1、结构与符号 VEE：I1 I’ VCC：I2 I1 = I’+I2 — IE = IB+IC 发射结： 基区： 集电结： 方程 3、输入特性与输出特性 三极管实际电路的三种接法 三个极：输入、输出、公用 输入特性 输入特性 输出特性 输出特性 基区宽度调制效应 基区宽度调制效应 三极管主要参数 直流参数：?、?、ICBO、ICEO 交流参数：?、? 极限参数：ICM、VCEO、PCM 4、晶体三极管的模型 数学模型 埃伯尔斯—摩尔模型 小信号模型（放大模式） 模型 忽略结电容 忽略基区体电阻（阻值较小） 忽略rce （阻值较大） 参数 小信号模型参数 参数 小信号模型参数 图解分析法 图解分析法 直流分析： 交流分析： 小信号等效电路分析(微变等效电路法) (a)原理电路 (b)交流电路 (c)等效电路 * 空穴与自由电子共同导电——双极型三极管 实际中考虑其他因素 发射结：空穴的扩散、集电结：反向饱和电流 2、内部载流子传输过程 P N N + - + - + V1 V2 R2 R1 IEn IEp IBB ICn ICBO IE IE= IEn+ IEp IC IC= ICn+ ICBO IB IB = IEp + IBB - ICBO = IEp+ (IEn- ICn) -ICBO = IE - IC IB= 集电极到发射极的穿透电流 共发射极电流放大系数 共基极电流放大系数 伏安特性曲线 共发射极 IB= f ( VBE ) VCE = 常数 IC= f ( VCE ) IB = 常数 输入特性： 输出特性： VBE(on) 发射结导通电压 室温时 锗管 0.2 ~ 0.3 V 硅管 0.5 ~ 0.7 V 基区宽度调制效应 VCE =VCB + VBE VCE ?—WB ? —IB ?—IC ? 25 oC 发射结 集电结 截止区 反偏（VBE?VBE(ON)） 反偏 (IC ? 0) 放大区 正偏（VBEVBE(ON) ） 反偏(IC ? ?IC) 饱和区 正偏 （VBEVBE(ON) ） 正偏 （Si:VCE ? 0.3V/Ge:VCE ? 0.1V ） VCE =VCB + VBE VCE ?—WB ? —IB ?—IC ? 三极管安全工作区 VCE V(BR)CEO PC PCM 要求 IC ? ICM 三极管参数的温度特性(温度每升高 1?C )： ??/? 增大 0.5% ? 1% VBE(on) 减小 (2 ? 2.5) mV ICBO 增大一倍 混合?模型 VCE ?—IB ?—IC ? 发射结电阻 跨导 基调参数 交流性能分析以直流工作点为基础 5、晶体三极管电路的分析方法 交流小信号叠加在直流工作点上，先直流分析，后交流分析。 直流工作点估算 方法一： 方法二（I1IB）： VBE = VBB - IBRB VCE = VCC - ICRC Q VBB VBB/RB VBEQ IBQ IC VCE O VBE IB O IB = IBQ VCC VCC/RC Q ICQ VCEQ ?t vBE O Q vBE iB O iC vCE O Q IBQ ICQ ?t vCE O 交流负载线 -1/R?L VCEQ ib vi + - iB VBB iC VCC RB RC + - vBE + - vCE + - + - RL C1 C2 ?t iB O iC ?t O