GB/T 35007-2018半导体集成电路　低电压差分信号电路测试方法.pdf

ICS 31.200 L 56 国 =11:. 中华人民 和国国家标准 GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 Semiconductor integrated circuits一 Measuring method of low voltage differential signaling circuitry 2018-03-15 发布 2018-08-01 实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 35007-2018 目 次 前言 ……………………………………………………………………………………… 皿 1 范围 － 2 规范性引用文件 … 3 术语和定义 · 4 总则 ……………………………………………………………………………………………………… 2 4 . 1 测试环境要求 ……………………………………………………………………………………… 2 4 .2 测试注意事项 ……………………………………………………………………………………… 2 5 静态参数测试 ……………………………………………………………………………… . 2 5 .1 单端数字接口参数 …………………………………….. ...………………………………. 2 5 .2 输入高电平阑值电压（VTH ） ………………………………………………………………………… 2 5 .3 输入低电平阑值电压（VTL ) ………………………………………………………………………… 3 5.4 输入电流（／TN ） ……………………………………………………………………………………… 4 5 . 5 电源关断输入漏电流（／TN-OFF ） …………………………………………………………………… 5 5 .6 输州 LVDS 高电压（VoHL ） ………………………………………………………………………… 6 5 .7 输州 LVDS 低电压（VOLL） ………………………………………………………………………… 7 5 . 8 共模输出电压（Vos） ………………………………………………………………………………… 8 5 .9 互补态共模输出电压变化（t:.Vos） ………………………………………………………………… 8 5 . 10 差分输阳电压W。ρ ……………………………………………………………………………… 9 5 . 11 互补态差分输时电压变化（t:.V。ρ ………………………………………………………… 9 5. 四 LVDS 输出短路电流（／OSL ) ……………………………………………………………………… 10 5 . 13 电掘关断输出漏电流(I 0 - 0FF ) ………………………………………………………………… 11 5 . 14 LVDS 输州高阻态电流（／ozL) …………………………………………………………………… 12 5 . 15 内置差分输入电阻仰川 ………………………………………………………………………… 13 5 .16 内置差分输阳电阻（ROT ) ……………………………………………………………… ……