hbt模型参数提取方法及inp基单片集成器件的研究物理电子学专业论文.docxVIP

北索鄢电天警簿l：学位论文 北索鄢电天警簿l：学位论文 擒要 取出了器件的本征参数；以提取出的模型参数作为初始值，利用 自适应优化算法进一步确定出与实际测量结果更加符合的模型参 数，减少了在提取过程中由于数据拟合导致的误差。经比较，模 型S参数的仿真结果与器件实测结果符合地很好。 4．对HBT大信号模型参数的提取方法进行了深入细致的研究，根据 大信号模型30个常用参数的不同物理特性，将其分成C-V参数、 电阻参数、厄利电压参数、直流输出参数、输入阻抗参数和传输 时延参数。依据每类参数的不同特点，分别设计出参数提取方法 并构建测试平台。经比较，提取出的大信号模型在直流、交流方 蔼均能准确地表征器件的实际特性。 5。利用建立的HBT模型设计了多种形式的前端放大电路。对电路进 行直流及高频特性的仿真，根据仿真结果对电路形式进行优化与 对比，选择出性能优异、结构相对简单的电路形式，为单片集成 光接收机前端的制备提供支持。 6．参与研制了PIN+HBT形式的单片集成光接收前端。探测器台面 面积为22×22urn2、HBT采用3um工艺、放大电路采用跨阻负反馈 单极共射结构。当探测器加2．5V反向偏压，电路加2V偏压时， 测褥集成前端的3dB带宽达到3GHz。 关键词：异质结双极晶体管(HBT)HBT建模参数提取 光电集成电路(OEIC)单片集成光接收前端 珏 北京邮电大学博士学位论文PARAMETER 北京邮电大学博士学位论文 PARAMETER EXTRACTION METHODS FOR MODELLING HBT AND RESEARCHES ON INP．BASED MoNOLITHIC INTEGRATED DEVICE ABSTRACT The research in this paper is supported by grants from The National Basic Research Program of China(No．2003CB3 14901)，The National High Technology Research and Development Program of China (No．2003AA3 1 9050，No．2006AA0324 l 6，No．2007AA0324 1 8)，Tlle National Natural Science Foundation of China(No．605760 1 8，No． 9060 1 002)and Program of Key International Science and Technology Cooperation Projects(2006DFB 1 11 1 0)． Today，With the rapid development of communication technology， increasing requirement of bandwidth and number of terminal clients， fiber-optic communication undergoes evolution to the new generation with intelligence， integration，low cost and high reliability． Optoelectronic integrated circuits(OEICs)have advantages over discrete optoelectronic devices in smaller dimension，10wer parasitics，lower cost， better performance and higher reliability．these merits make it suitable for the development of fiber-optic communication．OEICs have already become extremely attractive domain as the research subject in the area of optical communications and optoelectronics． InP．based heterojunction bipolar transistor(HBT)iS the essential element in long wavelength OEICs，furthermore，and it has extensive application prospect in the field of microwave commun