电子技术基础模拟部分第五节场效应管放大电路.pdfVIP

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2018-08-26 发布于湖北
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电子技术基础模拟部分第五节场效应管放大电路.pdf

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电子技术基础模拟部分第五节场效应管放大电路

5.1 金属氧化物半导体（MOS）场效应管 5.1 金属氧化物半导体（MOS）场效应管 55..11 金金属属-氧氧化化物物-半半导导体体（（MMOOSS））场场效效应应管管 5.2 MOSFET放大电路 5.2 MOSFET放大电路 55..22 MMOOSSFFEETT放放大大电电路路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3 结型场效应管（JFET） 55..33 结结型型场场效效应应管管（（JJFFEETT）） *5.4 砷化镓金属半导体场效应管 *5.4 砷化镓金属半导体场效应管 **55..44 砷砷化化镓镓金金属属-半半导导体体场场效效应应管管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5 各种放大器件电路性能比较 55..55 各各种种放放大大器器件件电电路路性性能能比比较较 5.1 金属-氧化物-半导体 5.1 金属-氧化物-半导体 55..11 金金属属--氧氧化化物物--半半导导体体（MOS）场效应管（MOS）场效应管（（MMOOSS））场场效效应应管管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 55..11..11 NN沟沟道道增增强强型型MMOOSSFFEETT 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 55..11..22 NN沟沟道道耗耗尽尽型型MMOOSSFFEETT 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 55..11..33 PP沟沟道道MMOOSSFFEETT 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.4 沟道长度调制效应 55..11..44 沟沟道道长长度度调调制制效效应应 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.5 MOSFET的主要参数 55..11..55 MMOOSSFFEETT的的主主要要参参数数场效应管的分类： N沟道 N NN 增强型 P沟道 P MOSFET PP MOSFET MMOOSSFFEETT (IGFET) (IGFET) ((IIGGFFEETT)) N沟道 N NN FET FET FFEETT 绝缘栅型耗尽型 P沟道 P 场效应管