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主存储器的并行读写技术 线选就是用低位地址进行每片内的存储单元寻址，用高位地址线作为各片的片选信号线。线选法地址不连续，仅适合于由1-2片芯片组成的小容量存储器。 部分译码法即用片内寻址外的高位地址的一部分来译码产生片选信号，会出现地址重叠。 全译码法将片内寻址外的全部高位地址线作为地址译码器的输入，其地址是连续的并且是唯一的。 ⑦控制信号线的连接 除了片内地址线、片选信号线、读/写控制线和数据线等连接之外，还要考虑附加控制存储器等的连线，以便实现CPU对存储器的正确控制。 （1）单体多字结构 单体：只有一套地址寄存器和一套地址译码器 多字是指每个主存地址单元中的存储字的长度加宽了。 （2）多体交叉访问存储器 多体交叉访问存储器是由几个容量相等、字长为一个主存字长的存储模块（也称为存储体）组成的。各模块有自己的地址寄存器、译码器和数据寄存器，所以各模块可以独立地进行读写操作。 合理地对这多个存储体进行组织，涉及两个问题 如何对这些存储体执行读写 如何分配这些存储体各自工作的地址范围 如何对这些存储体执行读写 一是在同一个读写周期同时启动所有体的读或写操作，与一体多字方案类似； 二是使这些存储体顺序地轮流启动各自的读写周期，能达到的最高读写速度，是在一个存储体的读写周期内，能启动每一个存储体的读写操作，即启动相邻两个存储体的最小时间间隔，要小于或等于一个读写周期除以存储体的个数。 依次读出来的每一个存储字，可以直接通过数据总线依次传送走，而不必设置专门的数据缓冲寄存器。 如何分配这些存储体各自工作的地址范围 交叉编址，即把连续地址的几个主存字依次分配在不同的存储体中，因为程序运行的局部性特性已经表明，程序运行过程中，在短时间内读写地址相邻的主存字的概率更大。 * 半导体存储器的设计步骤 ①选择存储器芯片 选择存储器芯片的原则是：一般根据存取速度、存储容量、电源电压、成本等因素综合考虑，以便选择指标相当的存储器芯片。 ②位向（字长）芯片数量的确定 如果所选芯片的位数不够，即不能满足系统的字长要求，则可按字长位数计算出所需要的芯片数。即 芯片数=总字长/每片的字长 若要求总字长为16位，Intel 2114芯片的容量为1024字×4位/字，则 16/4=4片 即需要用4片芯片来组成一个“单元存储体”。 这时，可将4片芯片的地址线A9~A0、片选端CS、读/写控制端WE对应地并联起来，并将各芯片的数据线（2114每片4条）连向相应的数据总线，从第一片至第四片的I/O线依次连向D0~D3、D4~D7、D8~D11、D12~D15。 ③字向（容量）芯片数目的确定 如果所选存储器芯片的容量不够，应增加容量，则可按容量要求计算出字向所需的芯片数。即 总片数=总容量/每片的容量 若现要求容量为8K×16位，对2114芯片来说，总片数为 （8K×16位）/（1K×4位/片）=8×4=32片 这时，可将各“单元存储体”内各片的片内地址对应端相并联，并连向对应的地址总线低位上，把各“单元存储体”中各芯片的读/写控制线WE相并联，并接向CPU的读/写控制端，将各“单元存储体”内各芯片的片选端CS并联后，再连到相应的译码器输出端，以便实现片选寻址。 ④对CPU总线负载能力的考虑 目前使用的半导体存储器多数是MOS电路，直流负载小，其主要负载为电容负载，因此，在小型机系统中，存储器可以与CPU直接相连。而在较大的系统中，就应当考虑CPU是否有足够的驱动能力，当需要时，必须选用驱动能力相当的的缓冲器。 ⑤ CPU的时序和存储器存取速度的配合 通常情况下，CPU在“取指令”和“读/写操作”时，其时序是固定的。常常以它们为基准来确定对存储器存取速度的要求。或在存储器存取速度已经确定的情况下，必须对CPU的周期安排进行调整，例如增设等待周期以实现CPU与存储器之间的时序配合。 ⑥有关存储器的地址分配和选片问题 主存储器通常分为RAM和ROM两大部分，RAM又要分成系统区和用户区，因此，主存储器的地址分配是个十分重要的问题。这将涉及有关地址越界和存储保护等有关技术。 CPU要实现对存储单元的访问，首先要选择存储芯片，即进行片选；然后再从选中的芯片中依地址码选择出相应的存储单元，以进行数据的存取，这称为字选。片内的字选是由CPU送出的N条低位地址线完成的，地址线直接接到所有存储芯片的地址输入端（N由片内存储容量2N 决定），而片选信号则是通过高位地址得到的。实现片选的方法可分为