蓝宝石抛光片规范-1105.docxVIP

ICS 29.045H 80发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会201×-××-××实施201×-××-××发布蓝宝石单晶衬底抛光片规范Specification for polished mono-crystalline sapphire substrate product（草稿）GB/T ××××—××××中华人民共和国国家标准前言本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。本标准由协鑫光电科技(江苏)有限公司负责起草。本标准主要起草人：薛抗美、魏明德、徐养毅蓝宝石单晶衬底抛光片规范范围本标准规定了蓝宝石衬底抛光片的分类和命名、要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、包装、运输、贮存。本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片（以下简称蓝宝石衬底片）规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 1031-1995 表面粗糙度参数及其数值GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 1555-1997计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 14264-2009 半导体材料术语YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用规则术语和定义GB/T14264《半导体材料术语》中确立的术语和定义适用于本标准。3.1批次——本文件中，(a) 所有尺寸、规格都相同的衬底为一单批次；(b)一个大的批次分割为(a)中描述的批次，以上两种情况都可以成为一个批次。3.2蓝宝石——可以用来外延生长的、有确定晶向的Al2O3单晶。3.3衬底—— 生长了硅、氮化镓或其他材料的抛光蓝宝石晶片。3.4GB/T 14264-2009确立的术语和定义适合用于本标准。要求4.1蓝宝石衬底的订购时的规格信息必须包含如下项目：4.1.1衬底常规直径。4.1.2晶体生长方法。4.1.3表面晶向。4.1.4批次验收程序。4.1.5质检书（如果需要）。4.1.6包装标签。4.2下面的项目可以选择性的包含在4.1项目中：4.2.1 单晶完整性4.2.2 表面缺陷及粘污水平4.2.3 不纯度及其他掺杂4.2.4 表面抛光质量水平4.2.5 背面加工质量水平4.2.6 附参考面4.2.7 主参考面测试方法总杂质含量：参照SJ20744-1999进行测定。几何尺寸测试：用精度为0.001mm的量具测量。表面取向和参考面取向：参照GB/T-1997进行测定。弯曲度：参照GB/T-6619进行测定。翘曲度：参照GB/T-6620进行测定。平整度：参照GB/T-6621进行测定。表面和背面粗糙度：参照GB/T 1031-1995进行测定。表面和背面缺陷：参照GB/T 6624-2009进行测定。晶体的完整性：参照GB/T 1554-1995进行测定。技术要求化学组成为高纯的α-Al2O3，总杂质含量应小于100ppm。结晶完整性要求在有效直径范围内都是单晶，位错应小于103个/cm2，双晶摇摆曲线的半峰宽值（FWHM）应小于30″。制备蓝宝石单晶衬底片所使用的生长方法按双方合同的规定。表面取向和参考面取向应符合表1的规定。表1表面取向和參考面取向表面取向C面（0001）±0.1°R面（102）±0.1°A面（110）±0.1°M面（100）±0.1°参考面取向A面（110）±0.2°或M面（100）±0.2°C轴在（110）面上的投影逆时针旋转 45°±0.2°（见附录 A）C面（0001）±0.2°或R面（102）±0.2C面（0001）±0.2°外形尺寸及偏差应符合表2。表 2 外形尺寸与偏差单位为毫米直径50.8±0.1100.1±0.2150.0±0.2参考面尺寸16.0±1.032±1.047.5±1.0中心点厚度0.430±0.015650±0.021300±0.02弯曲度≦0.015≦0.015≦0.040翘曲度≦0.01≦0.01≦0.025总厚度变化≦0.007≦0.01≦0.02线性厚度变化（5mm*5mm）≦0.0015≦0.0015≦0.0015表面粗糙度在有效直径范围内应小于0.3 nm。表面缺陷的最大允许值应符合表