NAND-Flash原理及使用.docxVIP

目录1．概述22．功能框图33．管脚44．寻址45．总线操作56．命令表67．PAGE READ，0x00-0x3078．RANDOM DATA READ，0x05-0xE079．PAGE READ CACHE MODE START，0x31；PAGE READ CACHE MODE START LAST，0x3F810．READ ID，0x90811．READ STATUS，0x70912．编程操作913．内部数据搬移1114．块擦除操作，0x60-0xD01215．复位操作，0xFF1216．写保护操作1317．错误管理14以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。1．概述?MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: 控制硬件写保护（WP#）、监视芯片状态（R/B#），和发起上电自动读特征（PRE-仅3V芯片支持）。注意, PRE功能不支持宽温芯片。?MT29F2G08内部有2048个可擦除的块，每个块分为64个可编程的页，每个页包含2112字节（2048个字节作为数据存储区，64个备用字节一般作为错误管理使用）。每个2112个字节的页可以在300us内编程，每个块（64x2112=132K）可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。?NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候，一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器，之后从数据寄存器按字节依次输出。写（编程）的时候，也是以页为基本单位的：起始地址装载到内部地址寄存器之后，数据被依次写入到内部数据寄存器，在页数据写入之后，阵列编程过程启动。?为了增加编程的速度，芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式，数据先写入到CACHE寄存器，然后再写入到数据寄存器，一旦数据copy进数据寄存器后，编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后，CACHE寄存器变为空，可以继续装载下一个数据，这样内部的编程和数据的装载并行进行，提高了编程速度。?内部数据搬移命令（INTERNAL DATA MOVE）也使用内部CAHCE寄存器，通常搬移数据需要很长时间，通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器，数据的搬移速度大大增加，且不需要使用外部内存。2．功能框图3．管脚名称类型描述ALEI地址锁存使能。ALE为高时，在WE#下降沿，地址信息通过I/O[7：0]锁存片内的地址寄存器。如果传输的不是地址信息，ALE应该为低。CE#I片选。一旦器件进入PROGRAM或ERASE操作，CE#可以变无效。CLEI命令锁存使能。CLE为高时，在WE#上升沿，命令通过I/O[7:0]锁存到命令寄存器，当不传输命令时，CLE应该为低。PREI上电读使能。RE#I读使能。WE#I写使能。WP#I写保护。当为低时候，所有的PROGRAM和ERASE都被禁止。I/O[7:0]I/O数据输入/输出。传输命令、数据、地址。仅在读操作时，数据是输出。R/B#, R/B2O准备好/忙。集电极开路输出。外部需要接上拉电阻，这个脚表示芯片正在进行PROGRAM或ERASE操作。在读操作期间，表示数据正从阵列中传输到串行数据寄存器中，一旦这些操作完成，R/B#回到High-Z状态。Vcc电源电源Vss地地4．寻址Block地址和页地址 = 实际的页地址，希望通过这个图，我们能理解块、页、块地址，页地址，列地址，备份空间，备份地址CycleI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O01CA7CA6CA5CA4CA3CA2CA1CA02LOWLOWLOWLOWCA11CA10CA9CA83RA19RA18RA17RA16RA15RA14RA13RA124RA27RA26RA25RA24RA23RA22RA21RA205LOWLOWLOWLOWLOWLOWLOWRA28CAx：列地址；RAx=行地址5．总线操作CLEALECE#WE#RE#WP#PRE#MODEHLL上升沿HXX读模式命令输入LHL上升沿HXX地址输入HLL上升沿HHX写模式命令输入LHL上升沿HHX地址输入LLL上升沿HHX数据输入LLLH下降沿XX依次读和数据输出LLLHHXX在读期间（忙）XXXXXHX在编程期间（忙）XXXXXHX在擦除期间（忙）XXXXXLX写保护XXHXX0V/Vcc0V/Vcc待机上电自动读：在上电期间，PRE为VCC，3V VCC器件自动传输第一页到数据寄存器，而无需要发布一个命令或地址锁存序列。在VCC达到大约2.5V的时候，内部电压检测器触发上电自动读功能。在第一页数据copy到数