微电子学导论作业（一）教材课程.pptVIP

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2018-05-31 发布于天津
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微电子学导论作业（三）;（1）画出VLSI设计的基本流程图。（2）VLSI设计可分为哪几个层次？哪几个域？描述不同设计层次与不同域之间的对应关系。（3）列举出3~4家VLSI设计业界最著名的EDA公司名称。（请自己查找答案） ;（1）MOS集成电路制造的主要工艺步骤有哪些？分别简述各个工艺步骤的内容和作用。（参照课件PPT）（2）以反相器为例，画出N阱 CMOS工艺的主要步骤。 ;Page 57：（1）、（2）、（3）。;一个CMOS工艺参数为：工艺因子:Kn=170（uA/V-square); Kp=55(uA/V-square). 阈值电压：Vtn=0.7V; Vtp=-0.8V. 电源电压Vdd=3V。基于以上工艺参数，合理设计器件尺寸，使得CMOS反相器的中点电压Vm为1/2 Vdd.