非晶矽薄膜电晶体液晶平面显示器的制程技术.pptVIP

*視野擴大的代表性模式圖 4-2.1 非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路設計 *在90oC雙晶的多重區塊之陰陽逆轉性和視野角的方位相依性都很小若區塊發生差異性，其對比性會下降 *在畫像素點上將液晶軸配向，則有所謂軸對稱配向微液晶胞模式 改善視野角度:雙區塊配向模式(DA)、光學補償彎曲模式(OCB)、面內啟動開關模式(IPS)、多重區塊配向模式(MVA)、緣邊電場驅動模式(FFS)、電頃斜直配向模式(EVA)。 4-2.1 非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路設計 4-2.1 非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路設計 *在低消耗電力方面，在電池驅動的筆記型個人電腦液晶表示 中，如何有效地降低耗電量，而延長其使用時間是重點的設 計考量因素之一。 *低耗電化的需求方面，除了開口率的提升之外，背光板的效 率提升和TFT-LCD低電壓驅動法的採用均被期望著，以10吋 彩色顯示器模組的電力消耗計算的話，在驅動方面為1瓦特 而背光板則是2瓦特，因此計算總計是3瓦特。在此情況下， 顯示器的輝度是60~80cd/m2。 *低耗電的另外一種方法，是將液晶的動作電壓降低，以及在液 晶的極性反轉時，畫像素電極和共通電極的電壓位移，而使驅 動IC的動作電壓降低的所謂低電壓驅動法，為了免除背光板而 出現高反射率之反射型液晶，此時則液晶的動作模式和彩色化 是很重要的課題。 *非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器之製程，分為陣列光罩製造工程、陣列電路製造工程、彩色濾光片製造工程 陣列光罩製造工程: (1)光罩毯 (2)電路圖案 (3)撿查修正 (4)保護膜 彩色濾光片製造工程:液晶顯示器中最重要的組件 陣列電路製造工程: (1)製造開關 (2)薄膜形成 (3)光阻劑途抹 (4)微影工程 (5)顯影工程 4-2.2.非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路製程 4-2.2.非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路製程 * 1.陣列光罩製造工程 使用光罩的製造技術之最初構想，是源自於製作印刷的板用於照 相濕板和乾板的技術，早期擴散接合型電晶體和彩色電視機的 開關光罩製造時，均要求嚴格的尺寸精度之微細化圖案的形成， 而其相對應的感光劑之塗抹技術，以及對溫度和濕度變化敏感 性少的材料也漸漸地被開發出來。 * LCD製程上所用的光罩是不同於一般半導體的規格，光罩尺寸 非常的大，而缺陷產生的比率也比較大，TFT陣列基板和彩色 濾光片基板之兩片玻璃基板組合時，其對溫度和濕度的尺寸變 化特性是相同的，且其圖案的位置精密度在數μm的級數要求。 *陣列光罩的製程工程的流程圖，摘要如下： 1.光罩毯製造工程：其結構有底層之玻璃基板和遮光膜，再其次則是被覆著對電子束感光之元阻劑膜；玻璃基板以合成石英為主，作為液晶顯示器製程中的是低膨脹係數玻璃、藍板玻璃和白板玻璃。 2.電路圖案形成工程：光罩圖案的形成，是經由圖案設計數據之描畫裝置的動作，並於光罩毯上進行微影曝光、顯影和蝕刻等工程。電路描畫的數據，及是轉成圖案設計圖的電子資訊信號，利用光碟和磁帶等各種類型之媒體存取，而提供給描畫裝置，顯影後進行殘留光阻劑的去除，以及將鉻薄膜利用濕式蝕刻而去除並形成圖案。 4-2.2.非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路製程 *陣列光罩製造流程圖 4-2.2.非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路製程 3.撿查修正工程：在檢查方面可分為外觀檢查和尺寸檢查： 在尺寸檢查上則有設計數據的吻合性、準位標誌與圖案位置 的對位性，以及圖案寬度之尺寸的測量。在外觀檢查上則有 光罩毯的不良檢查和圖案形成後之缺陷減查，在圖案上即使 非常微細的缺陷也會對最後階段產品的產出有很不良的影響。 * 2.陣列電路或薄膜電晶體製造工程 在薄膜電晶體陣列電路的 基板上呈陣列狀配置，並相對應於彩色濾光片之三原色點狀， 三原色的各點(Dot)經由TFT的開關和液晶驅動用的透明電極， 而個別讀立地提供適當的信號電壓進行掃描，控制信號配線和 掃描信號配線呈縱橫式的掃描動作，其交差點的點狀畫像素將 一個一個地分配信號而產生色彩。如下圖所示。 4-2.2.非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路製程 4-2.2.非晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器的陣列電路製程 *一般玻璃基板必需進行切割及端面處理後，再執行所謂的熱 處理、研磨和洗淨等工程，其檢查的等級要求是非常地嚴格 的，而且光學性的考量而基板的平坦性，以及其間之夾縫精密 度會被影響液晶動作。 *在薄膜形成工程中，有濺鍍方式之膜的靶材在包能量分子的 衝途下，而從靶材表面的發射出膜材料的分子，並沉積於基板 面上，以及電漿化學氣相沉積方式之利用電漿能量，在較低溫 度下形成薄膜。 *在光阻劑塗佈工程中，在基板上