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集成电路原理 期末复习;考试题型;名词解释;一、名词解释;(一)MOSFET的工作机理;线性区条件: VGSVT ，0VDS VGS-VT。 线性区电流方程：; ① 线性区 当 VDS 很小时，沟道就象一个阻值与 VDS 无关的固定电阻，这时 ID 与 VDS 成线性关系，如图中的 OA 段所示。 ;② 过渡区 随着 VDS 增大，漏附近的沟道变薄，沟道电阻增大，曲线逐渐下弯。当 VDS 增大到 VDsat ( 饱和漏源电压 ) 时，漏端处的可动电子消失，这称为沟道被 夹断，如图中的 AB 段所示。;③ 饱和区 当 VDS VDsat 后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区。这时 ID 几乎与 VDS 无关而保持常数 ID sat ，曲线为水平直线，如图中的 BC 段所示。; 1.掌握n阱CMOS工艺流程（书22页图2.2-6） 2. 掌握pn结隔离SBC结构工艺流程（书45页图2.4-2） 3. 理解超深亚微米工艺与常规n阱CMOS工艺的不同： 1）为什么要采用STI,STI好处是什么？ 2）为什么要采用硅化物自对准结构； 3）为什么要采用铜互连代替铝互连； 4）为什么要采用低k介质作为层间介质。 4.SOI MOSFET的器件剖面图； 5.SOI CMOS相对于体硅有哪些优势？ ;三种反相器（CMOS、饱和负载、电阻负载反相器） 的工作机理及相互对比。;直流电压传输特性曲线;（三）反相器的工作原理及版图识别;CMOS反相器的优势;CMOS反相器的版图、剖面图、电路图的识别;！最大噪声容限要求：;！最大噪声容限要求：;与非门/或非门的版图识别;与非门/或非门的剖面图;（五）CMOS与或非门/或与非门的构造方法;用与或非门实现异或/同或逻辑;（六）复杂逻辑门设计方法;等效导电因子的求法;瞬态特性的分析 1.几个充电支路？ 2.几个放电支路？ 3.每个支路等效导电因子相同应该 如何设计？;（七）类NMOS、PMOS电路;（七）类NMOS、PMOS电路;（八）大扇入情况下电路的解决方案;（九）MOS传输门电路;传输门实现的典型逻辑电路;传输门逻辑的特点;（十）动态电路;动态电路的逻辑功能;动态电路的特点;动态电路的问题;解决办法;（十一）组合逻辑电路设计;一个逻辑可以采用多种方案-异或门;一个逻辑可以采用多种方案-异或??;四选一多路器;四选一多路器;四选一多路器;四选一多路器;4-2大数优先编码器;4-2大数优先编码器;码制变换译码器;简化逻辑表达式;构成一个逻辑可以采用的4种方案;（十二）时序逻辑电路设计;锁存器和触发器的区别和联系;D锁存器和触发器;静态存储和动态存储;T触发器;用D触发器构成T触发器;波形图;异步加法二进制计数器;同步二进制加法计数器;（十三）ESD保护电路;（十四）存储器;存储单元阵列;存储器外围电路-译码器;DRAM单元;SRAM单元; ;集成电路原理 期末复习;结语;短暂的相处也是一种缘分， 衷心祝愿大家未来工作生活一切顺利， 永远快乐健康！