感应耦合等离子体二维模型与实验对比.pdfVIP

ISSN 10002 0054 清华大学学报 ( 自然科学版) 20 10 年 第50 卷 第2 期 2 1/ 38 CN 1122223/ N J T sing hua Un iv ( Sci Tech) , 20 10 , V ol 50, N o 2 25022 53 感应耦合等离子体二维模型与实验对比 , , ( 清华大学精密仪器与机械学系, 摩擦学国家重点实验室, 北 100084) : 为研究感应耦合等离子体( indu ct ively coupled plas2 工艺要求刻蚀深宽比更高的沟槽, 这就需要刻蚀机 ma, ICP ) 的建模方法, 针对GE CRC( gaseou s electronics con2 在较高真空下能产生高密度等离子体( 1017 ~ 1018 fer ence radio frequ en cy refer en ce cell) 标准等离子体实验平 m- 3 ) 。这是因为当刻蚀机的反应腔室中气压很低 台, 利用商业软件CF D2ACE+ 中的等离子体、 磁场及流体 而等离子体密度却较高时, 在刻蚀工艺发生的硅片 等模块建立了二维流体 ICP 模型。仿真结果与平台在 ICP 表面会形成无碰撞的射频鞘层。通常认为, 这样的 模式下的放 实验进行了对比分析, 在等离子体参数的量级 特征在保证比较好的各向异性刻蚀的同时有助于提 与变化趋势上均取得了较好的一致性。同时对比发现, 该模 [ 1] 高相对刻蚀速率 。用于IC 制造的高密度等离子 型与Buk ow sk i 等( J . App l. P hy s. , 1996 , 80( 5) : 26 14) 开 发的模型的仿真精度处于相同水平, 均可定性表征ICP 等离 体源有很多种, 其中, 由于感应耦合等离子体( in2 [ 2 ] 子体的分布特性。 du ct ively coup led p lasm a, ICP) 源 的操作气压较 : 刻蚀; 感应耦合等离子体; 子数密度; 子温 低( 0 133~ 8 000 P a) , 容易产生大口径的高密度等 度; 仿真 离子体, 且具有成本低、结构简单紧凑的特点, 常被 用在多晶硅刻蚀机中。 : T N 4 05 9 8; TN 305 7 : A 建立等离子体模型对等离子体反应器的设计