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ARM片外Flash存储器IAP
ARM片外Flash存储器IAP解决办法 时间:2011年12月20日 字 体: HYPERLINK javascript:setFont(16); 大 HYPERLINK javascript:setFont(14); 中 HYPERLINK javascript:setFont(12); 小 关键词: HYPERLINK /search/?q=ARM \t _blank ARM HYPERLINK /search/?q=Flash存储器 \t _blank Flash存储器 HYPERLINK /search/?q=IAP \t _blank IAP 0 引 言 以 HYPERLINK /search/?q=ARM \o ARM ARM芯片为处理器核的嵌入式应用系统,以其小体积、低功耗、低成本、高性能、丰富的片内资源以及对操作系统的广泛支持,得到了人们越来越多的青睐。在应用编程 HYPERLINK /search/?q=IAP \o IAP IAP(InApplicatAiONProgram)就是这样的自修改程序。它先在RAM存储器中写人数据值,然后使PC指向该存储段,把该段作为程序段来执行。很多ARM7芯片自带IAP处理器,应用其自带的IAP处理器可以方便地对其片内集成的 HYPERLINK /search/?q=Flash存储器 \o Flash存储器 Flash存储器进行在应用编程,但几乎所有的ARM核芯片均不支持片外IAP处理,因为片外Flash存储器是用户选型的,芯片生产厂家无法先知先觉,而不同Flash存储器其编程时序也不尽相同,导致芯片生产厂家无法提供通用的IAP代码。那么,如何对嵌入式系统的片外Flash存储器进行在应用编程呢?这里分两种情况:一是普通代码存放在片外单独1片Flash中,IAP代码在另一片Flash中完成,此时只要依据Flash的操作时序执行IAP代码,完成擦除或写入操作即可。这种情况虽然简单,但应用了2片Flash;而IAP代码很小,一般完全可以集成到1片中,所以这里对这种情况不予考虑。另一种情况是1片Flash中既要存储普通代码,又要实现IAP。 针对嵌入式应用系统片外Flash存储器IAP无现成方案的问题,介绍一种基于代码重入思想的片外存储器IAP解决方案。结合LPC2210及SST39VFl60芯片,简介两款芯片特点,给出应用连接框图;分析IAP实现要点,并给出IAP的实现代码。下面以Phnips公司的LPC2210 和 Silicon storageTechnology 公司的SST39VFl60为例,详细讨论这种情况IAP的解决方案。 1 硬件结构 1.1 LPC2210介绍 Philips公司的LPC22lO是一款基于支持实时仿真和嵌入式跟踪的16/32位ARM7TDMI-SCPU的微控制器。芯片采用144脚封装,有16 KB片内静态RAM,开放外部总线;通过外部存储器接口可将外部存储器配置成4组,每组的容量高达16 Mb,数据宽度8/16/32位均可;具有多个32位定时器、8路lO位PWM输出、多个串行接口(包括2个16C550工业标准UART、高速I2C接口和2个sPI接口)以及9个外部中断、多达76个可承受5 V电压的通用I/O口,同时内嵌实时时钟和看门狗,片内外设功能丰富强大;片内晶振频率范围l~30 MHz,通过片内PLL可实现最大为60 MHz的CPU工作频率,具有2种低功耗模式——空闲和掉电,通过外部中断将处理器从掉电模式中唤醒,并可通过个别使能/禁止外部功能来优化功耗。以上特性,使其特别适用于工业控制、医疗系统、访问控制和POS机,同时也非常适合于通信网关协议转换器,嵌入式软Modem,以及其他各种类型的应用。 1.2 SST39VFl60介绍 SILICON StoraLge Technology公司的SST39VFl60是一个lM×16b的CMOS多功能Flash器件,单电压的读和写操作,电压范围3.O~3.6 V,提供48脚TSOP和48脚TFBGA两种封装形式。 该器件主要操作包括读、字编程、扇区/块擦除和芯片擦除操作。擦除和字编程必须遵循一定的时序,表l列出了扇区擦除和字编程过程及时序。擦除或编程操作过程中读取触发位DQ6将得到“1”和“O”的循环跳变;而操作结束后读DQ6,得到的是不变的固定值。这是器件提供的写操作状态检测软件方法。 1.3 硬件连接 SST39VF160作为系统的程序存储器,以LPC2210的CSO作为Flash的片选信号,处理器配置Boot引脚为16位数据总线宽度后,上电可直接执行SST39VFl60中代码。此Flash芯片为1
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