C17610 电子学 II-ch08 场效应电晶体5.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 0 C17610 電子學 II 第八章 場效應電晶體 8-1 FET的簡介 8-2 JFET的特性 8-3 MOSFET的特性 8-4 FET偏壓電路 * 8-1 FET的簡介 表8-1　BJT與FET的特性比較 * 8-1 FET的簡介 表8-2　場效電晶體的電路符號 * 8-2 JFET的特性 圖8-1　n通道場效應電晶體(JFET) * 8-2 JFET的特性 圖8-2　JFET的偏壓電路 圖8-3　JFET的控制機構 * 8-2 JFET的特性 圖8-4　歐姆區工作模式 (a)通道特性 (b)特性曲線 (c)等效模型 * 8-2 JFET的特性 圖8-5　截止區工作模式 (a)通道特性 (b)特性曲線 (c)等效模型 * 8-2 JFET的特性 圖8-6　飽和區工作模式 (a)通道特性 (b)特性曲線 * 8-2 JFET的特性 圖8-7　截止區工作模式 (a)特性曲線組 (b)轉移曲線 (c)等效模型 * 8-2 JFET的特性 圖8-9　p 通道JFET (a)偏壓電路與基本機構 (b)特性曲線 (c)轉移曲線 * 8-2 JFET的特性 圖8-10　特性曲線比較 (a)n 通道 (b)p 通道 * 8-2 JFET的特性 表8-3　JFET在三工作區的比較 * 8-3 MOSFET的特性 圖8-11　絕緣層兩接面聚集正負電荷形成MOS電容並感應出導電通道 * 8-3 MOSFET的特性 圖8-12　n通道E-MOSFET (a)電路符號 (b)材料結構 (c)特性曲線 * 8-3 MOSFET的特性 圖8-13　歐姆區工作模式 (a)通道特性 (b)特性曲線 (c)等效模型 * 8-3 MOSFET的特性 圖8-15　飽和區工作模式 (a)通道特性 (b)輸出特性曲線 (c)轉移曲線 (d)等效電路 * 8-3 MOSFET的特性 圖8-17　n通道D-MOSFET (a)電路符號 (b)材料結構 (c)特性曲線 * 8-3 MOSFET的特性 圖8-18　n通道D-MOSFET * 8-3 MOSFET的特性 圖8-19　n通道D-MOSFET (a)特性曲線 (b)轉移曲線 (c)等效模型 * 8-3 MOSFET的特性 圖8-21　增強型E-MOSFET與空乏型D-MOSFET的簡化符號與轉移曲線比較 * 8-3 MOSFET的特性 表8-4　MOSFET的比較(VDS(sat)=VGS- VT；VSD (sat)=VSG+VT=- (VGS- VT)) * 8-4 FET偏壓電路 圖8-22　判斷屬於何種工作區及計算工作點位置之流程圖 * 8-4 FET偏壓電路 圖8-23　固定偏壓電路 (a)電路圖 (b)直流等效電路 (c)圖解法求工作點 * 8-4 FET偏壓電路 圖8-24　自偏壓電路 (a)電路圖 (b)直流等效電路 (c)圖解法求工作點 * 8-4 FET偏壓電路 圖8-26　分壓偏壓電路 (a)電路圖 (b)直流等效電路 (c)圖解法求工作點 * 8-4 FET偏壓電路 圖8-30　E-MOSFET回授偏壓電路 (a)電路圖 (b)直流等效電路 (c)圖解法求工作點 * 8-4 FET偏壓電路 圖8-31　有E-MOSFET負載元件之放大電路 (a)電路圖 (b)直流等效電路 * 8-4 FET偏壓電路 圖8-36　建立模型 (a) 輸出特性曲線 (b) 各區之等效模型 * 8-4 FET偏壓電路 圖8-37　選用模型 (a)偏壓電路 (b) FET操作在飽和區之等效電路 圖8-38　套用模型 * 0 C17610 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *