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SiGe器件与集成电路 硅器件与集成电路技术作为电子工业的发展主流已经取得了巨大的成功。然而随着集成电路的超高速化的发展，硅材料的局限性开始显露。因此出现了砷化镓集成电路，它虽然提高了电路的频率，但与成熟的硅工艺不兼容而受到限制。SiGe新材料的出现对利用强大而成熟的硅工艺制作超高速集成电路带来了生机。SiGe 材料由于禁带带隙可由Ge含量调节和易于与硅工艺兼容等优点，被广泛用于高频双极型晶体管（HBT）、MOSFET 和MODFET的制作。同时还扩展了硅在光电子领域的应用前景。作为申请人的博士论文工作，从92年起开展用SiGe材料作光波导及电光调制器与电光开关的研究，曾得到国家自然基金项目（编的资助，已分别在美国物理学会主办的著名刊物Applied physics Letters和英国的Electronics Letters以及中国物理快报发表多篇学术论文。 随着电力电子技术应用中主开关器件工作频率的不断提高，对功率二极管性能要求低正向压降、高反向电压、小反向漏电流、快开关速度、低运行损耗和低温度敏感性，还要具有软恢复特性。多年来硅P-i-N 二极管一直在这方面扮演着主要角色。为了降低由于频率升高引起的器件开关损耗，一般采用少子寿命技术（掺铂、辐照等）来降低存储电荷Q，但是该技术在降低存储电荷的同时，会增加器件的通态压降Vf和反向漏电流Ir。不能改善三个参数的折衷优化。而且这种技术不宜用于功率集成电路的工艺，对改善软恢复特性和温度特性亦不明显。因此，如何设计出既具有低通态压降、低反向漏电流，又具有反向快恢复和软恢复以及低的温度敏感性的功率二极管对电力电子技术的广泛应用意义重大。 利用SiGe 材料可以实现以上要求，于是我们从99年开始了“SiGe快速开关功率二极管”的研究，2000年得到陕西省自然科学重点基金的资助（编号2000x09）,2001年被列为信息产业部重点项目（资金自筹）。已得到了一些有价值的结果（近来已发表高水平论文2篇）。对SiGe材料的性能有了较深入的了解，对采用SiGe材料制作二极管积累了工作经验。目前考虑到实际应用中由于Si和Ge的晶格失配出现的应力，使SiGe层的厚度和Ge含量受到限制，今年开始研究掺碳的SiGeC/Si异质结构，利用掺碳的补偿作用降低SiGe层的应力，大大改善器件的电特性和工艺的容限。本申请拟利用SiGeC材料的优异特性，研究制作SiGeC/Si异质结快速功率二极管。通过Ge含量和C含量的调节，提高注入效率，从而降低通态压降。实现优异的存储电荷Q、正向电压Vf和反向漏电流Ir 之间折衷,实现良好的反向快恢复和软恢复特性以及低灵敏温度特性。并利于今后的功率集成。 COMS数码相机噪声去除方法 主要内容 采用COMS器件制作数码相机具有成本低，可集成度高的优点，但是如果用COMS相机在光线不足的室内进行拍摄，则会出现噪声干扰很强的问题。本项目的主要内容是，对COMS相机所拍摄图像数据进行去噪声处理，达到在保持画面清晰度的同时，抑制噪声的干扰，提高COMS相机的性能。 技术水平 本项目技术与目前经典平滑滤波算法相比，其画面的模糊程度降低，噪声的去除效果好。可大大提高相机拍摄图像的质量。目前有关内容的发明专利及相关的软件版权正在申请之中。 市场前景 本项目技术因为具有很大的技术优势和实用价值，所以有广阔的市场前景。在未来三年内，数码相机的普及速度将更快。COMS模式的低价格数码相机的市场需求量则更加庞大，因为数码相机内可嵌入一个小的算法模块将大大提升图像质量，提高其性价比。由此可看出有非常好的市场前景。 投资额及来源 本项目启动阶段为自筹资金，故具有完全的自主版权。下一阶段的深入研究及推广应用，希望通过另外的渠道获得资金的支持。 预期经济效益 本项目是属于在现有COMS数码相机基础上延伸的一个小的功能模块，因此项目可直接与目前的COMS数码相机的各种型号产品配套。按照每年100万台套的销量计算，以软件附加值每台套10元计算，因此所产生的利润为每年应该在1000万左右。具有广阔的市场前景。 实施基础条件 本项目实施基础为现有的COMS数码相机，或现有的数码摄像头。 服务方式及费用 本技术的服务方式可以采取转让、合作开发的形式。项目报价面议。 项目负责人：朱虹 张歆 联系电话：029所在院所：自动化与信息工程学院 E-mail：zhuhong@ zhangxinrunning@ 基于彩色CT显示的医学辅助诊断系统 主要内容 本项目对采集到的人体CT数据，在现有的单窗技术以及多窗技术的基础上，通过图像分割方法，提取不同组织区域，并对起进行着色增强显示处理。本系统具