电工学简明教程教案9 2011.11.13.ppt

9.5　光电器件（自学）9.5.1　发光二极管 9.5.2　光电二极管 饱和区 截止区 (2)截止区 　　IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0 时，IC = ICEO(很小)。对 NPN 型硅管，当 UBE 0.5 V 时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使 UBE ≤ 0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC 0)，此时，IC ? 0 ，UCE ? UCC 。 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 2.3 1.5 放 大 区 饱和区 截止区 (3)饱和区 　　当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IC 和 IB 不成正比。此时，发射结也处于正向偏置，UCE ? 0 ， IC ? UCC/RC 。 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 2.3 1.5 放 大 区 　　当晶体管饱和时， UCE ? 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC ? 0 ，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。 晶体管的三种工作状态如下图所示。 + UBE 0 ? IC IB + UCE ? (a)放大 ? UBC 0 + IC ? 0 IB = 0 + UCE ? UCC ? (b)截止 ? UBC 0 + + UBE ≤ 0 ? + UBE 0 ? IB + UCE ? 0 ? (c)饱和 ? UBC 0 + ≤ 0 0.1 0.5 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.3 ?0.1 0.7 ?0.3 硅管(NPN) 锗管(PNP) 可靠截止 开始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截止 放大 饱和 工 作 状 态 管 型 晶体管结电压的典型值 　　当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数 9.4.4　主要参数 1. 电流放大系数 ，? 　　当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为 ?IB ，它引起集电极电流的变化量为 ?IC 。 ?IC 与 ?IB 的比值称为动态电流(交流)放大系数 　　在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下，可近似认为　　　　，但两者含义不同。 2. 集-基极反向截止电流 ICBO ICBO 是当发射极开路时流经集电结的反向电流，其值很小。 3．集-射极反向截止电流 ICEO 　　ICEO 是当基极开路(IB = 0)时的集电极电流，也称为穿透电流，其值越小越好。 4．集电极最大允许电流 ICM 　　当 ? 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流 ICM 。 5．集-射反相击穿电压 U(BR)CEO 　　6. 集电极最大允许耗散功率 PCM 　　基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集-射反相击穿电压 U(BR)CEO 。 　　当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率 PCM。 IC ICM U(BR)CEO UCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 　　由 ICM 、U(BR)CEO 、PCM三者共同确定晶体管的安全工作区。 9.5.1　发光二极管 * 第9章 二极