LED专利竞争分析汇.docVIP

LED专利竞争 一、国内外专利现状 国际上LED照明技术的发展空间虽然很大，但核心专利基本都被外国几大公司控制，这些公司利用各自的核心专利，采取横向(同时进入多个国家)和纵向(不断完善设计，进行后续申请)扩展方式，在全世界范围内布置专利网。目前主要国家和地区专利状况请见附表。 国际上有关GaN基材料和器件的专利有以下特点： * 有关GaN基材料的专利数量大，总数在数千项以上，但大部分都在20世纪90年代以后申请。 * 关键专利都掌握在日本、美国、德国等少数国家的少数大公司手中，如日本的日亚、丰田合成、东芝、索尼、NTT，美国的Lumileds、 Cree，德国的Osram公司等。 * 国外大公司都很重视技术专利的申请，有关GaN基半导体LED的关键技术都已经在本国或国际上申请了专利，基本覆盖了从衬底制备、外延材料、器件设计、管芯工艺到封装和应用设计的各个方面。其中主要包括衬底材料、大失配外延低温缓冲层、P型GaN的掺杂及退火激活技术、高质量InGaN材料的生长及控制技术、P型GaN/Al GaN超晶格提高空穴浓度技术、GaN基LED透明电极技术等等。以上专利是高亮度GaN基LED发展史上的突破性技术，目前有些专利是材料生长和器件制作无法绕开的。 国内有关GaN基材料和器件的专利状况： * 我国申请人未掌握上游核心技术，发明专利申请量较少，大都属于外围技术，数量不多的外围专利和下游水平低、效力未定的新型专利无法形成专利网。另外，一些申请人未向境外申请专利。这种国内无法形成专利网布局、境外没有专利保护的现状，使得我国半导体照明领域的知识产权成为产业发展的软肋。 * 申请时间上，我国半导体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年，最小也有5年，普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大，一般在15年到20年。主流技术如外延接触层、外延覆盖层、外延量子阱技术、超晶格技术、氮化镓衬底技术、芯片微结构技术、钝化技术等相差10年左右。在下游产业中，普遍相差10年左右。另外，与外国相比，我国缺少原创技术，基本上所有的专利申请技术都在外国技术路线的范畴内。 * 我国在芯片、封装和LED应用领域与外国热点申请方向发生偏离。如芯片领域，我国专利申请未涉及外国公司极为看重的芯片外形技术、表面粗糙化技术、衬底剥离技术。封装领域，我国专利申请虽然有自身的优势分支，但在近年来较为热门的基座和荧光粉材料方面与国外差距巨大。应用领域，我国专利申请的优势在于技术相对成熟的指示应用、景观照明方面，部分申请涉及显示屏和交通信号灯，但对国际流行的技术分支，如LED灯具和背光照明的申请量却很少。 * 国内发明专利申请量主要集中在科研院所和院校，实用新型专利权大部分掌握在个人手中。上游发明专利申请量集中于中科院系统的研究所，包括半导体所、物理所和长春光机物理所。而企业占有发明专利的比例不超过5%，实用新型专利不超过10%。这与国外以企业为主的申请情况大相径庭。 二、半导体照明专利形势 目前半导体照明技术发展非常迅速，产业远没有达到成熟，产业化的芯片发光效率仅为30lm/W，与普通照明要求的100lm/W 以上的指标有很大差距。未来的技术路线在不断发展，白光技术路线在探索，衬底、外延、芯片、封装技术都在不断更新。因此我们还是有很多突破机会的。 我国在每个技术领域都有申请量超过或接近外国申请量的技术分支，尤其是在上游产业上拥有一些外围发明专利，这为日后我国应对可能发生的专利诉讼战提供了谈判筹码。 1.LED白光普通照明发展仍有空间，我国有机会与外国同行一较高低。 2.我国在复合衬底专利方面有一定优势。 3.由于专利易于被缩小保护范围和被规避，对我国外延方面的专利诉讼比较困难。 4.在芯片方面我国有很大发展潜力，白光普通照明的芯片技术与现有的技术可能会有较大差异。 5.中低档产品领域和应用产品领域大有可为。 6.2年至3年内不会有针对我国企业的大规模诉讼案发生。 三、中国利用专利制度方面存在的问题 一是专利制度运用不恰当。专利制度的核心在于利用技术成果向社会公开，以换取一定区域和时间内的垄断权，那么专利技术是否容易形成垄断，是否容易得到保护就决定了技术成果是否适合申请专利。是否适合申请专利，何时申请专利，如何实施专利权保护是专利制度运用的重要方面，我们在这些地方有所欠缺。 二是专利保护范围不恰当。国外申请的专利，产品权利要求非常宽泛，一般会采用功能性限定，或者物理化学性质的方式来撰写。而我国的权利，往往加入许多非必要技术特征，权利要求保护范围都比较窄。虽然专利申请的保护主题相同，但我国申请人所能得到的专利权范围要小得多。 三是国内申请人利用专利制度起步晚。自1985年我国建立专利制度到1999年期间，是专