小信号谐振放大器2.ppt

β 0 fT f β 0 　　当f＜fT时，晶体管对电流进行放大 　　当f＞fT时，晶体管将失去电流放大作用 当工作频率f＞＞fβ时，f和fT的关系 讨　论 ︱β︱＝β0＊fβ/f≈fT/f fT＝︱β︱＊f 一、限制晶体管高频运用的因素 二、晶体管的频率参数 三、共发射极混合п型交流等效电路 (一)交流等效电路 (二)参数的物理意义和计算公式 三、共发射极混合п型 交流等效电路 （三）混合参数表示晶体管的优点 (一)交流等效电路 三、共发射极混合п型 交流等效电路 Yb’b b b’ e c Cb’e Yb’e Cb’c 共发射极混合п型交流等效电路 Cb’e b’ rbb ’ rb’e Δib Δib2 Δib1 b e Ube Cb’c rb’c gmUb’e rce Uce + - + - ic ic2 ic1 (一)交流等效电路 (二)参数的物理意义和计算公式 三、共发射极混合п型 交流等效电路 * 第二章　小信号谐振放大器 § 2-2 高频晶体管 第05次课 复　习 一、谐振放大器在接收机中的作用 二、对小信号谐振放大器的要求 第二章　小信号谐振放大器 § 2-2 高频晶体管 晶体管在高频上工作有何特点？ 晶体管的使用频率受到什么限制？ 怎样改善晶体管的使用性能？ 高频晶体管采用什么的等效电路？ 本节内容 一、限制晶体管高频运用的因素 二、晶体管的频率参数 三、共发射极混合п型交流等效电路 一、限制晶体管高频运用的因素 β 0 0.707 β 0 f 0 fT fβ β 一、限制晶体管高频运用的因素 (一)发射结结电容(Cb’e)的电抗效应 (二)集电极势垒电容(Cb’c)的电抗效应 (三)基极体电阻(rb’b)的影响 一、限制晶体管高频运用的因素 (一)发射结结电容(Cb’e)的电抗效应 发射结等效电路 Yb’b b b’ e Cb’e Yb’e Cb’e b’ Yb’b Yb’e Δib Δib2 Δib1 b e Δube 一、限制晶体管高频运用的因素 (一)发射结结电容(Cb’e)的电抗效应 (二)集电极势垒电容(Cb’c)的电抗效应 Yb’b b b’ e c Cb’e Yb’e Cb’c 一、限制晶体管高频运用的因素 (一)发射结结电容(Cb’e)的电抗效应 (二)集电极势垒电容(Cb’c)的电抗效应 (三)基极体电阻(rb’b)的的影响 Yb’b b b’ e c Cb’e Yb’e Cb’c 一、限制晶体管高频运用的因素 改善晶体管高频特性的方法 1、采用扩散基区 2、采用薄基区 3、缩小结的面积 4、降低基区杂质浓度 5、正确选择管子的工作状态 一、限制晶体管高频运用的因素 二、晶体管的频率参数 频率特性 二、晶体管的频率参数 　　　晶体管电流放大能力（ α ， β ）与工作频率之间的关系 β 0 0.707 β 0 f β f β 0 α0 0.707α0 fα f α 0 (一)共基极截止频率—fα 二、晶体管的频率参数 (二)共发射极截止频率—fβ （三）特征频率—fT (一)共基极截止频率—fα 二、晶体管的频率参数 (一)共基极截止频率—fα 二、晶体管的频率参数 1、定义 在共基极放大器电路中，当短路电流放大系数︱α︱降低到α0的1/√2倍时的频率 α0 0.707α0 fα f α 0 (一)共基极截止频率—fα 二、晶体管的频率参数 2、规定 fα≤3MHz时，低频管 fα＞3MHz时，高频管 α0 0.707α0 fα f α 0 低频管 高频管 (一)共基极截止频率—fα 二、晶体管的频率参数 (二)共发射极截止频率—fβ 二、晶体管的频率参数 (二)共发射极截止频率—fβ 定义： 　　在共发射极放大器电路中，当短路电流放大系数︱β︱降低到β0的1/√2倍时的频率 β 0 0.707 β 0 f β f β 0 (一)共基极截止频率—fα 二、晶体管的频率参数 (二)共发射极截止频率—fβ （三）特征频率—fT 二、晶体管的频率参数 （三）特征频率—fT 1、含义 　　晶体管在共发射极连接时，能得到电流增益的最高频率极限值 β 0 fT f β 0 ΔIC＝ β ＊Δ IB ΔIC Δ IB 二、晶体管的频率参数 （三）特征频率—fT 2、定义