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一、填空题 1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和 2. 反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。 3. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，会 ，导通电压会 4. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得IA=2mA，IB=0.04mA，IC=2.04mA，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为 型管； 。 5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。 6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 7. 某三极管的极限参数、、。当工作电压时，工作电流IC不得超过 mA；当工作电压时， IC不得超过_____ mA；当工作电流时， UCE不得超过 V 。 8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；α约为 。 11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径。 12. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 13. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管工作于 区 。 14. 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。 15. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。 16. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 17. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 18.三极管是由 个PN结及其划分为 个区组成。 19.三极管的两个PN结分别称为 结和 结。 20.三极管具有 放大作用。 21.三极管具有电流放大作用的条件是 。 22.硅三极管的死区电压为 V，锗三极管的死区电压为 V。 23.硅三极管的发射结电压降UBE约 V，锗三极管的管压降UBE约 V。 24.放大器的作用是 。 二、选择题 1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。 A. NPN管和PNP管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管 C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D. 三极管和二极管 2. 放大电路如图所示，已知三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。 A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V，则此时三极管工作于（ ） 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。 A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 7. 某三极管的，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。 A. B. C. D. 8. 下面的电路符号代表（ ）管。 A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS 9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正