超分辨近场结构光磁混合存储介质的温度场模拟-光学精密工程.PDFVIP

第 卷 第 期 光学 精密工程 １６ １０ 　 Ｖｏｌ．１６ Ｎｏ．１０ 　 　 　　 　　　　 　 Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　　　 　　　 　 年 月 　 ｐ ｇ ｇ ２００８ １０ Ｏｃｔ．２００８ 　 　 　 文章编号 （ ） １００４９２４Ｘ２００８１０１８０００５ 　 超分辨近场结构光磁混合存储介质的温度场模拟 程晓敏，王 昊，杨晓非，缪向水，李 震，李佐宜 　 　 （华中科技大学 电子科学与技术系，湖北 武汉 ４３００７４） 摘要：为了进一步减小光磁混合存储记录位尺寸，建立了用于光磁混合存储记录介质的超分辨近场结构膜层模型、近场 光场模型及温度场模型，采用有限元方法对超分辨近场结构光磁混合存储介质记录层的温度场进行了计算模拟。计算 中采用的光磁混合记录介质膜层结构为 （ ）／ （ ）／ （ ）／ （ ）。当写入温度为 Ｃ２ｎｍ Ｓｂ１０ｎｍ ＳｉＮ １０ｎｍ ＣｏＣｒＰｔ ３０ｎｍ ５５０Ｋ ７５ １５ １０ 时，随着入射激光功率的增加，光磁混合存储介质记录层温度场可写入区域面积增加。当激光功率从 ３．９ｍＷ 增至 时，温度场可写入区域横向及纵向尺寸增加约 倍，记录密度减小至原记录密度的 ／。 ６．９ｍＷ １ １４ 关 键 词：超分辨近场结构；光磁混合存储介质；温度场 　 　 中图分类号： 文献标识码： ＴＰ３３３．４１ Ａ 　　 犜犲犿 犲狉犪狋狌狉犲犱犻狊狋狉犻犫狌狋犻狅狀狊犻犿狌犾犪狋犻狅狀狅犳狅狋犻犮犪犾犿犪狀犲狋犻犮犺犫狉犻犱 狆 狆 犵 狔 狉犲犮狅狉犱犻狀 犿犲犱犻犪狑犻狋犺狊狌犲狉狉犲狊狅犾狌狋犻狅狀狀犲犪狉犳犻犲犾犱狊狋狉狌犮狋狌狉犲 犵 狆 ， ， ， ， ， ＣＨＥＮＧＸｉａｏｍｉｎＷＡＮＧＨａｏＹＡＮＧＸｉａｏｆｅｉＭＩＡＯＸｉａｎｓｈｕｉＬＩＺｈｅｎＬＩＺｕｏｉ ｇ ｙ （ ， 犇犲犪狉狋犿犲狀狋狅 犈犾犲犮狋狉狅狀犻犮犛犮犻犲狀犮犲犪狀犱犜犲犮犺狀狅犾狅 犎狌犪狕犺狅狀 狆 犳 犵狔 犵