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半导体中电子自旋动力学的研究-上海大学

激光与光电子学进展 , ( ) 犔犪狊犲狉牔犗狋狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊犘狉狅狉犲狊狊 C 《中国激光》杂志社 470732012010 狆 犵 ○2010 : / doi10.3788lo47.073201 p 半导体中电子自旋动力学的研究 马 红 金钻明 马国宏       (上海大学理学院物理系,上海 200444) 摘要 利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的  族半导体 InP和  族半导体   Ⅲ Ⅴ Ⅱ Ⅵ 的电子自旋弛豫动力学过程。实验结果表明, 的自旋弛豫过程比 快,只有几个皮秒。随着激发光 CdTe CdTe InP 子能量的增加,自旋弛豫时间常数单调减小;但是随着载流子浓度的增加,自旋弛豫时间常数先增加到达最大值后 再减小。这一实验结果和考虑库仑相互作用的全微观动力学自旋布洛赫方程的理论预言一致。 关键词 半导体;电子自旋弛豫;时间分辨抽运探测; 机制 DP   中图分类号 O472.3 犗犆犐犛 320.7130160.6000 文献标识码 犃                 犚犲狊犲犪狉犮犺狅狀犈犾犲犮狋狉狅狀犛犻狀犇 狀犪犿犻犮狊犻狀犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉 狆 狔 犕犪犎狅狀 犑犻狀犣狌犪狀犿犻狀 犕犪犌狌狅犺狅狀 犵  犵  犵 ( , , , , ) 犇犲犪狉狋犿犲狀狋狅犘犺狊犻犮狊 犆狅犾犾犲犲狅犛犮犻犲狀犮犲 犛犺犪狀犺犪犻犝狀犻狏犲狉狊犻狋 犛犺犪狀犺犪犻200444 犆犺犻狀犪 狆 犳 狔 犵 犳 犵 狔 犵 犃犫狊狋狉犪犮狋 犜犺犲犲犾犲犮狋狉狅狀狊犻狀犱狀犪犿犻犮狊狅犳  狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犐狀犘犪狀犱  狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犆犱犜犲犪狉犲狊狋狌犱犻犲犱犫   狆 狔 Ⅲ Ⅴ Ⅱ Ⅵ 狔 狌狊犻狀 犳犲犿狋狅狊犲犮狅狀犱狋犻犿犲狉犲狊狅犾狏犲犱犮犻狉犮狌犾犪狉犾 狅犾犪狉犻狕犲犱 狌犿 狉狅犫犲狊犲犮狋狉狅狊犮狅 .犈狓犲狉犻犿犲狀狋犪犾狉犲狊狌犾狋狊狊犺狅狑狋犺犪狋狋犺犲 犵 狔狆 狆 狆狆 狆 狆狔 狆 狊犻狀狉犲犾犪狓犪狋犻狅狀狋犻犿犲犻狀犆犱犜犲狑犻狋犺犪犳犲狑 犻犮狅狊犲犮狅狀犱狊犻狊犳犪狊狋犲狉狋犺犪狀狋犺犪狋犻狀犐狀犘.犠犻狋犺狋犺犲犻狀犮狉犲犪狊犲狅犳狋犺犲犲狓犮犻狋犪狋犻狅狀 狆 狆 , , 犺狅狋狅狀犲狀犲狉 狋犺犲狊犻狀狉犲犾犪狓犪狋犻狅狀狋犻犿犲犮狅狀狊狋犪狀狋犱犲犮狉犲犪狊犲狊犿狅狀狅狋狅狀犻犮犪犾犾.犎狅狑犲狏犲狉 狑犻狋犺犻狀犮狉犲犪狊犻狀 狋犺犲犮犪狉狉犻犲狉 狆 犵狔 狆

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