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05年公务人员初等考试试题
公職王歷屆試題 (105初等考試)
105 年公務人員初等考試試題
等別:初等考試
類科:電子工程
科目:電子學大意
有關一個理想運算放大器之敘述,下列何者錯誤?
直流偏壓在主動區 輸入電流為零
共模輸出訊號是無限大 輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源
如圖所示電路,一個理想反相運算放大器,若 R1 = 20kΩ 、R2 = 100kΩ ,當V = 0.2V時,
i
R
求流經 電流為多少?
2
2μA 10μA 20μA 0.2μA
C = 1pF
如圖所示 CMOS 反相器電路,使用電壓源為 +3.3 V ,反相器之輸出負載為一個電容 L ,
若輸入訊號 vI 之交換頻率為 1 MHz ,則此電路之消耗功率約為多少?
3μW 6μW 11μW 14μW
場效電晶體在飽和區( saturation region )的有限輸出阻抗,是由於:
本體效應(Body effect )
通道長度調變效應( Channel length modulation effect )
溫度效應( Temperature effect )
密勒效應(Miller effect )
雙極性接面電晶體( BJT )的轉導值(Transconductance )g m 定義為:
∂i ∂i ∂i ∂i
C C C B
∂v ∂v ∂v ∂v
CE v =V BE iC =I C CB i =I BE iC =I C
CE CE C C
如圖所示電路,一個理想運算放大器,若運算放大器之飽和電壓為14 V ,在其飽和前,i的最L
大值約為何?
4.7 mA 4 mA 2 mA 1.4 mA
下列那一個元件的端點數最多?
共 7 頁 第 1 頁 全國最大公教職網站 .tw
公職王歷屆試題 (105初等考試)
電阻 二極體
雙極性接面電晶體 MOS 電晶體
有關 P-N 接面二極體之敘述,下列何者錯誤?
溫度越高,雪崩式崩潰( Avalanche breakdown )之崩潰電壓越大
溫度越高,稽納式崩潰( Zener breakdown )之崩潰電壓越大
雜質濃度較濃之一側,空乏區較小
逆向偏壓時,一般不考慮擴散電容(diffusion capacitance )
如圖所示電路,若二極體為理想二極體,當 V = 11V時, V 為多少伏特?
i 0
-11
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