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3.非化学计量化合物缺陷化学平衡 4.掺杂化合物的缺陷化学平衡 第二个反应没有方程？ 3.4 点缺陷的研究方法 ⒈ 示踪原子法和标记物法 可测量缺陷的类型（示踪） DM 》DX DX 》DM 标记物（不氧化，不反应） ⒉ 微质量法 可测量缺陷的种类和浓度（金属氧化过程的质量变化） 研究点缺陷有两个目的，一是知道有什么点缺陷，二是浓度是多少！必须借助一定的手段才可以？你能想出来吗？ ⒊ 密度和晶格尺寸的确定 ⒋ 化学分析法 分析金属的过量和欠量 ⒌ 电导率的测定 电导率的变化反映缺陷浓度的变化 1. 在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6eV，计算25℃和1600 ℃时肖特基缺陷的浓度。 2. 如果MgO晶体中，含有百万分之一的AI2O3的杂质，是本征缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？ 3.在一定条件下，氧化亚铜是典型的P型半导体，其电导率与氧分压得关系σ=po21/8，试用缺陷化学原理阐述这一试验结果。 Add your company slogan 离子离开正常格点进入表面或界面而在晶体内部形成空位所形成的缺陷称为肖特基缺陷 特点是由于晶体内部要保持电中性所以阳离子空位和阴离子空位必然同时出现。 肖特基主要发生在阴阳离子相差不大的情况下 ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● □ ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● □ ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● 1 2 ● ● 3 4 如何用方程描述这一过程呢？ 晶体中阳离子和阴离子按照计量比形成的间隙缺陷对称为反肖特基缺陷，表面离子进入晶体内部间隙所造成的 ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● 1 2 □ □ 3 3 ● ● 4 如何用方程描述这一过程呢？ 2.杂质缺陷 杂质缺陷是指由外来杂质组分（原子、离子或基团）进入晶格而引起的各种缺陷。（固溶 – 量不是太大） 可以分为间隙式和置换式。 ⑴间隙式 杂质原子或离子进入到晶体的间隙位置形成间隙原子或离子。 如氟化钙中掺入氟化钇，钇占据钙的亚晶格，不容易形成Ca空位，F进入间隙解决。 如何用方程描述这一过程呢？ 置换型杂质缺陷形成主要有等价置换、空位机构、填隙机构、变价机构、补偿机构几种类型的置换型。 等价置换 电价相同，离子尺寸、晶体结构相差不大，通过固溶产生晶格畸变达到掺杂的
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