杨晓玲(光刻工艺)培训资料.pptVIP

光刻工艺;HMDS工艺及其处理系统; 光刻工艺在半导体制造过程中是至关重要的一个工艺环节， 黏附性是光刻胶的一个重要表现要素，描述了光刻胶黏附于衬底的强度。;在光刻工艺中所用到的光刻胶绝大多数是疏水的。;判别：接触角若大于90°具有疏水性； 接触角若大于140°具有超疏水性。; 当衬底暴露于空气中的湿气或是清洗结束后的湿气时，表面的羟基和残留的水分子是亲水的， 如果在衬底表面直接涂胶的话，就会出现以下问题：;涂胶前的准备工作; 先加热100℃~2 00 ℃，去除硅片表面的水分，然后 HMDS 与表面的 OH - 反应，在硅片表面生成硅醚，消除氢键作用，从而使极性表面变成非极性表面。;缺点： 只能进行手动操作, 而且会使衬底在增黏剂中暴露于污染物。; 衬底是在光刻胶涂胶吸盘上以手动或者自动的方式涂布增黏剂的， 当旋转的衬底涂完增黏剂后，吸盘的转速被提高以使增黏剂层干燥。;HMDS滴浸泡润液和旋转; 硅半导体制造工艺中最常用的涂布方法。; 增黏剂不需要单独的去除工序， 因为它极易挥发，涂布在衬底上只有很薄的一层， 并且具有一定的水溶性， 所以增黏剂在光刻胶显影或去除过程中就会被去离子水冲洗干净。在增黏剂的实际应用过程中， 没有出现过残留问题。;HMDS的预处理系统结构;整机结构框图;加热模块;作用： 是置换气体和抽走剩余的HMDS蒸汽。;作用： 在置换过程中，用氮气来逐渐稀释空气或药液蒸汽，从而最终替换空气或药液蒸汽的气氛。;作用： 是在需要的时候把药液变成蒸汽，均匀的涂布到晶片表面。;作用： 控制各个模块的动作和时序，完成整个工艺过程。 人机界面采用触摸屏来实现参数、状态等界面的显示和参数的设定输入。 PLC采用小型化PLC;软件组成; 其他光刻工艺条件不变， 分别在硅和锑化铟的一组样品中抽取一半使用增黏剂。;硅片样品实验数据;锑化铟样品实验数据; 增黏剂在锑化铟光刻工艺中得到成功应用，它可以将锑化铟材料表面由亲水性变为疏水性，从而和具有疏水性的光刻胶具有更好的黏附性；使用增黏剂的样品在湿法腐蚀工艺中具有更好的抗腐蚀性。实践证明，增黏剂???使用可以优化锑化铟光刻工艺，并且提高锑化铟红外探测器晶片的成品率。;光刻胶; 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为负性光刻胶，简称负胶。;光刻胶的组成;对光刻胶的要求;分辨率 对比度 敏感度 粘滞性 黏附性 抗蚀性 表面张力 沾污和颗粒; 单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为 S ，也就是前面提到过的 D100 。S 越小，则灵敏度越高。;分辨率 ;分辨率 ; 式中，Lmin 为最小尺寸，即分辨率。可见，若灵敏度越高（即 S 越小），则 Lmin 就越大，分辨率就越差。;是指光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。;对比度 ; 表面张力 指的是液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力。; 是指对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标。粘滞性越高流动性越差。粘滞性越高越有利于台阶覆盖，但间隙填充能力就越差。;DQN正胶的典型反应;DQN正胶的典型反应;正胶的感光反应;负胶的成分和感光反应;谢 谢!