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§5-3忆阻元件
§5-3 忆阻元件 元件对偶 忆阻元件 忆阻元件 X 第 * 页 北京邮电大学电子工程学院 * 退出 开始 * 至此，我们已经介绍了三种无源元件——电阻R、电 容C和电感L，这些元件把电路的基本变量联系了起来 如图： 电路基本变量之间关系结构图图 和q之间还没有一个元件能将其联系起来 只有 和q之间存在类似R、L、C的第四类基本电路元件， 并将其称为忆阻器，定义如下： 将M 称为忆阻，M是q的函数。并推出如下关系： 忆阻元件的符号下图所示。 忆阻元件 加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠 提出在 忆阻器的某些基本特性为：是耗能元件；具有记忆性； 只有非线性忆阻器才有实际意义；只在交变状态才 能正常工作? 直到2008年5月1日，来自惠普实验室的四位科学家在 Nature杂志上发表了题为“The missing memristor found” 的文章，宣布研制出了纳米尺度的忆阻元件。惠普实 验室发现的忆阻器可以在纳米尺度上实现开关，这将 极大地缩小存储器的体积，因此，对数字计算机的发 展可能具有深远意义。 X 第 * 页 *
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