02-FACTS中的电力电子器件.ppt

FACTS与电力电子器件的关系 主要器件简介 主要器件简介 主要器件简介 主要器件简介 主要器件简介 主要器件简介 主要器件简介 FACTS对器件的要求 * * 曲正伟 1、单极型 2、双极型 3、复合型 整流器（SR）/电力二极管 正偏导通，反偏阻断； 双极性器件，存在正、反向恢复过程； 工作频率不高，多用于1kHz以下电路； 在电压型变换器（VSC）中，通常与可关断器件反并联使用。 双极型晶体管（BIJ） 双极型、电流控制器件； 容量低，损耗高，FACTS设备中应用不多； 开关时间小（数μs），开关频率高（数百kHz），在拖动、大功率UPS中应用较多 。 GTR 功率场效应管（MOSFET） 单极型、电压控制器件； VDMOS开关时间达到10ns-100ns； 主要用于低功率（数kW及以下）场合。 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 复合型晶体管； 中小功率领域，工作频率可达50kHz； IEGT容量达4.5kV/3kA。 晶闸管（SCR） 单向可控，导通门极可控，关断不可控； 开关速度慢，工作频率较低（工频电路）； 单管容量大，可达近百MV·A； 过负荷能力强（1周波50倍过电流）。 门极关断晶闸管（GTO） 双向可控； 开关损耗比SCR大的多； 通态压降低，单管容量大（数十MV·A）； 短时过载能力强（1周波10倍过电流）。 改进门极关断晶闸管 IGCT：强关断能力的GTO。 MTO：MOSFET与GTO结合形成的复合器件。 ETO：两个MOSFET与GTO的组合体。 容量大：单管正常耐压在数kV、载流能力在数百A以上。 晶闸管控制/投切的FACTS设备采用半控的晶闸管器件即可；基于变换器的FACTS设备大多采用全控型器件。 开关频率可高可低，以低为主。 损耗较低。 可方便的串、并联使用。 *