1110级电子线路1 wl ch1.ppt

特点一：半导体具有热敏特性 常见一些半导体材料加热后导电性能变好（称为“负电阻特性），利用这个特性，可制成半导体器件。如：热敏电阻。 特点二：半导体具有光敏特性 常见一些半导体材料随光强增大电阻变小，利用这个特性，可制成半导体器件。如：光敏电阻、光电三极管、光电二极管。 特点三：半导体具有杂敏特性 纯净半导体掺杂后导电性能变好，利用这个特性，可制成半导体器件。如：半导体二极管、三极管等。 三极管工作情况总结(记录) 二、反向饱和电流 1. 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 2.集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO (a)ICBO测量电路 (b)ICEO测量电路 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 小功率锗管 ICBO 约为几微安；硅管的 ICBO 小，有的为纳安数量级。 　　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 三、 极限参数 1. 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。 2. 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM 为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 3. 极间反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 　　U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 　　U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 　三极管的安全工作区 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 练习：某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 解：根据PCM＝ICUCE=200mW可得： 20 10 6.67 5 IC（mA） 10 20 30 40 UCE (V) 将各点连接成曲线，即为临界过损耗线. (AND） 例： ?=50， VCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当VBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ VBB =-2V， IB=0 ， IC=0， Q位于截止区 VBB =2V,IB= (VBB -UBE)/ RB =(2-0.7)/70=0.019 mA=19μA IC最大饱和电流ICS = (VCC -UCE)/ RC =(12-0)/6=2mA IC= ?IB =50?0.019=0.95 mA ICS =2 mA ， Q位于放大区 IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC UBE 正常放大原则: 发射结Je0 集电结Jc0 IC UCE IB USC RB USB C B E RC 例： ?=50， VCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当VBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ VBB =5V，IB= (VBB -UBE)/ RB =(5-0.7)/70=0.061 mA IC= ?IB =50?0.061=3.05 mA ICS =2 mA ， Q位于饱和区 (实际上，此时IC和IB 已不是?的关系） VBB =-2V，Q位于截止区 VBB =2V,IB=19μA，ICS =2 mA IC= ?IB =0.95 mA， Q位于放大区 ●　PNP 型三极管 　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。 　三极管外加电源的极性 (a) NPN 型 VCC VBB RC Rb ~