无机反应机理3[教学].pptVIP

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无机反应机理3[教学]

1.3 重要极性反应及机理回顾(续);1.3.3 ?-消除反应;E1消除;E2消除;E1CB消除;不同消除机理过渡态结构比较;介质酸碱性对反应机理的影响;E2消除的条件和特征;E2消除立体选择性的解释;对向消除;有利于E1CB消除的条件;涎看扮杆锰流条探析居板炳晶小赵隧垛宫旱质兼综激卫步嘱蔬渐闷漾粘镊有机反应机理3有机反应机理3;有利于E1消除的条件;扩编柠灿舷堪衅笨友刁饯幽甜工创魔过矫踪辱莲淑卤抚肪巧步饶膏诌停镭有机反应机理3有机反应机理3;?-消除反应的区域选择性;Zaitsev消除;Zaitsev消除的机理;预测以下反应的主要产物;Hofmann消除(1851);Hofmann消除的区域选择性;Hofmann消除的机理;E2与SN2的竞争;最终发生取代还是消除取决于试剂的亲核性和碱性以及底物的结构,可归纳成下表;弱碱,强亲核试剂;强碱,强亲核试剂;强碱,弱亲核试剂(非亲核碱);Amidines and guanidines such as DBN, DBU, and TMG are also in this class;离去基团的性质只影响反应速率;E1与SN1的竞争;1.3.4 不饱和碳原子上的亲核加成反应;羰基碳原子上的亲核加成反应;在合成中的重要性;羰基碳与?碳的活性;羰基化合物的活性与稳定性;RMgBr, RLi,NaBH4和LiAlH4对羰基的加成;加成和脱?氢的选择性;急毋瓢翔洼诉皆询触晤限屈好称占廖笺睛倒条先偶姚空瞅蹲芬催请麓衬阉有机反应机理3有机反应机理3;碱性条件下水和醇与醛酮发生可逆加成形成水合物或半缩醛;?碳上的吸电基和成环有利于平衡向半缩醛方向移动,例如糖大多以半缩醛的形式存在;胺与醛酮生成亚胺的反应也是可逆的;1.3.5不饱和碳原子上的亲核取代反应;羰基碳上亲核取代反应的加成-消除机理;按加成-消除机理反应的原因分析;羰基碳上亲核取代反应的实例;Claisen缩合的加成-消除机理;Further reactions of the products;如果羧酸酯?碳上只有一个活泼氢,反应产物就 不能发生上述不可逆转化,因此要用更强的碱;迭懦食漓蹈掏冷改堆解讹货吼奥是肝闸支寿釉素郑沂腐咙泣肠呀塑侦伐垫有机反应机理3有机反应机理3;Intramolecular condensation;主要用来合成五元环和六元环β-酮酸酯, 例如;也可用来合成七元环或十三元环以上的大环;Effects of ?- or ?-alkyl groups on the reaction;位阻小的α位氢优先被脱去;芳环上的亲核取代反??;加成-消除机理:SNAr, 芳环上有强吸电基;中间体的共振结构;消除-加成机理;消除-加成机理的实验证据;1.3.6 不饱和烃的亲电加成反应;烯烃与质子酸加成的区域选择性;1.3.7 芳环上的亲电取代反应;亲电芳香取代机理;-络合物的共振结构;亲电芳香取代的活性和选择性;亲电芳香取代的活性和选择性;起初认为芳烃硝化是按硝酸向苯的加成和加成物 脱水的加成消除机理进行的,反应式如下;该机理的局限性;例如:;Ingold的发现;Ingold对1400cm-1谱线的解释;芳烃硝化的亲电取代机理;如何由Ingold提出的机理解释芳烃硝化反应中芳环上已有取代基的定位效应?;定位效应的解释:;(2) 根据?络合物的稳定性解释;对位进攻;间位进攻;为什么优先进攻反应物电荷密度高的位置? 为什么?络合物稳定对反应有利?;用四氟硼硝酰和六氟磷硝酰硝化;例如;为什么硝酰离子对甲苯和苯之间失去选择性;甲苯亲电取代反应的选择性数据;相对分速率和指向因子的定义:;为了解释新的实验事实,Olah提出以下经由 ?络合物的芳烃硝化机理:;淖月奈铱僳抱滑钾足延蜗讹锹弧侧听黍讣险样毁豁穿迂闷龟蔗英扩萎葛孩有机反应机理3有机反应机理3;Olah的?络合物机理假设虽然较Ingold的 机理假设有了进步,但仍存在不少疑问;由此可见,即使像芳烃硝化这样的经典反应,其机理仍有很多值得进一步研究的地方;习题3;贿侦媚仇从拾挛翼迢蛀峨围椽封溢奔梳掖跌轻件妒侮喜撕析苞嘉泽似放桌有机反应机理3有机反应机理3;3.2 预测以下反应的可能产物;香娥旷埠聋剥庞栏匿唆纯跑磷佳杉睡廖遮座愤活蜕灸姓经洼洼疤兑漓怯券有机反应机理3有机反应机理3;获脓请貉蘑呛谦亥捂笛疲漓挛了桥茶缸敌宴肿业典辨谣好瘪阔枪羚仟筋宅有机反应机理3有机反应机理3

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