09高计电子2010年3月月考试卷.docVIP

淮北工业学校2009~2010第二学年度三月份月考 09级高考班计算机专业《电子线路》试卷 （2010年3月） 判断题（下列说法正确的填A，错误的填B。共20分）： 1、硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，所以硅管比锗管温度稳定性好。（ ） 2、单相桥式整流电路中，若一只二极管开路，会出现二极管和变压器被烧坏现象。（ ） 3、二极管、三极管都是非线性器件。 （ ） 4、只要三极管的发射结正偏，集电结反偏，就一定工作在放大状态。 （ ） 5、三极管的放大作用具体体现在ΔIcΔib.（ ） 6、三极管是属于电流控制器件。（ ） 7、电容滤波电路中，电容器的容量和负载电阻越小，输出电压越平滑，越接近V2（ ） 8、三极管工作在放大状态时，对于NPN管VCVBVE，对于PNP管VEVBVC ( ) 9、半导体的导电性能较差是因为半导体内部只有一种载流子。（ ） 10、用万用表的欧姆挡测NPN晶体管发射结的正向电阻时，黑表笔接的是晶体管的基极。（ ） 二、单项选择题(每小只有一个是正确的,请把正确的序号选出填在后边的括号中,共20分): 11、温度减小时，晶体管参数将发生如下变化。（ ） 15、在下列式子中，（ ）能正确反映共发射极组态的内部电流分配关系。 （A）IB=（1—β）IE+ICBO； （B）IC=βIB+（1+β）ICEO； （C）IC=βIB+（1+β）ICBO； （D）IE=（1+β）IB—ICEO 16、工作在放大状态的三极管，当Ib从 20μA增大到40μA时，Ic从 1mA增大到2mA，则它的β值为（ ） V a （A）10； （B）50； （C）100； （D）75。 17、在图（1）中，V为理想二极管，则U为（ ） 8v U 则Vab为（ ） 4V （A） -8V； （B）-4V； （C）+8V； （D）+4V。 图（1） b 18、图（2）所示电路是（ ） （A）半波整流电路，Vo=0.45V2 （B）全波整流电路，Vo=0.45V2 V2 RL Vo （C）桥式整流电路，Vo=0.9V2 （D）错误电路，不能实现整流。 图（2） 19、测得四个NPN型三极管的极间电压如下，则处于放大状态的三极管是（ ）： (A) Vbe= -7V，Vce=6V； （B） Vbe=0.7V,Vce=0.3V; (C) Vbe=0.7V,Vce=6V; (D) Vbe=0.7V,Vce= -2V. 20、本征半导体掺入五价元素后成为 ( ): (A)本征半导体； （B）P型半导体； （C）N型半导体； （D）PN结。 三、填空题（每空2分，共72分）： 21、半导体中有两种载流子，即_________和____________ 22、三极管的输出特性曲线可分为饱和、放大和截止三个区，当晶体管工作在_______区时Ic=βIb；工作在________区时，Ic=0；工作在_________区时,Vce≈0. 23、把交流电变成____________称为整流，单相整流电路是利用二极管的_____________实现整流的。 24、若测得晶体管3AX31的电流为:当Ib=30μA时,Ic=2.6mA;当Ib=40μA时,Ic=3.4mA,则求得该管为β________，Iceo为_________ mA， Icbo为____________μA 25、硅二极管的死区电压为___________伏，导通电压为__________伏。 26、Iceo称为三极管的_________________电流，它反映三极管的_____________. 27、在图(3)中,二极管是理想的,V1工作在__________状态；V2工作在____________状态，电压VAB为_____________V. V1 A 12V V2