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化學清洗蝕刻區標準操作程序 Class 10 WET BENCH SOP 2007/12/21版 1 Create for the future National Nano Device Laboratories 大綱 1. 晶圓清洗之簡介 2. 晶圓清洗之目的 3. 晶圓濕式蝕刻之簡介 4. 晶圓濕式蝕刻之目的 5. 化學清洗蝕刻區之安全規範 6. 清洗與蝕刻區之操作介紹 ‧ 爐管前清洗區 ‧ 光阻去除區 7. 晶舟及吸筆使用說明 2 Create for the future National Nano Device Laboratories 濕式清潔法概要 最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)，在1980 年代亦曾有以乾式清潔法取代濕式清潔法之論點，同時亦有一些相關的 嘗試性研究，然而時至今日仍未有完整之乾式清潔法被研發成功得以完 全取代濕式清潔法。目前，濕式清潔法依然是最主要的晶圓清潔方法。 晶圓清洗之簡介 在超大型積體電路 (ULSI)製程中，晶圓洗淨之技術及潔淨度 (Cleanliness) ，是影響晶圓製程良率(Yield) 、元件品質(Quality)及 可靠度(Reliability)，最重要的因素之一，當製程技術日益精進，元件 (Devices)之積集度更是大為的提高，要製作如此精密複雜的產品，是需 要非常潔淨的晶圓表面來製作。因此，要如何清洗晶圓，以期超潔淨度 之需求，是目前 ULSI 製程中，非常重要的步驟之一，而在成長熱氧化 物之前的清洗步驟是製成中所有清潔步驟最具關鍵與重要的一環，因為 之後所成長極薄之閘集氧化層品質與晶圓表面潔淨度有關。 3 Create for the future National Nano Device Laboratories 晶圓清洗之目的 晶圓清洗的目的，是以整個批次或單一晶圓，藉由化學品的浸泡或噴灑 來去除髒污，並用超純水來洗濯雜質 ，主要是清除晶片表面所有的污染物 ，如微塵粒(Particle) 、有機物(Organic)、無機物、金屬離子(Metal - Ions)等雜質。 在ULSI製程中，閘極氧化層(Gate Oxide)的厚度，已大幅下降，因此尚要 考量洗淨後，晶圓表面的微粗糙度(Micro-roughness)，及俱生氧化物 (Native Oxide)之清除，以達到半導體元件(Device)超薄閘極氧化層 (Ultra-Thin Gate Oxide)的電性參數及特性(Electrical Parameters and Characteristics)，並達到元件的品質及可靠度。 4 Create for the future National Nano Device Laboratories 下頁表列即晶圓濕式清潔法所使用之典型化學藥品與其所相對應所去除之污染物。 污染物 名稱 化學溶液的混合種類