体缺陷的检测.pptVIP

八英寸直拉单晶棒晶体缺陷检测;目录;八英寸直拉单晶硅晶体缺陷检测目的;（2）、线缺陷（位错是半导体中最重要的缺陷，包括螺旋位错，属于线缺陷一般称为位错线） （3）、面缺陷（晶体密堆积结构中正常层序发生破坏的区域称为堆垛层错，简称层错，分为本征和非本征层错。） ;半导体晶体的电化学腐蚀条件及其反应;硅单晶在碱性溶液中电化学反应 构成电化学腐蚀条件： 1、被腐蚀的半导体各部分或区域之间存在电位差，构成正极和负极，电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，负极被腐蚀溶解。 2、具有不同电极电位的半导体各部要互相接触。 3、半导体电极电位的不同部分处于相互连通的电解质溶液中，以构成微电池。 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素 1、腐蚀液的成分 腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。 ;2、电极电位 一般对于N型硅来说，电阻率越低（即少数载流子空穴浓度越低），电极电位越低。对于P型硅来说，电阻率越低（即少数载流子空穴浓度越高），电极电位越高。 3、缓冲剂的影响 缓冲剂一般是弱酸弱碱，如CH3COOH和NH4OH等。 4、腐蚀处理温度和搅拌的影响 腐蚀处理温度越高，腐蚀速度越快。 搅拌可以加快物质传递速度，还能改善腐蚀液的择优性质。 5、光照的影响 腐蚀处理时加入光照有利于微电池的腐蚀，并且在慢速腐蚀中光照影响比较大。 ;腐蚀在半导体技术中的应用;硅单晶中位错的检测;2、位错密度的测定 位错密度表示方法： (1)位错的体密度——单位体积中位错线的长度，用Nv来表示： Nv=L/V 式中，V为晶体的体积；L为体积V中位错线的总长度。 (2)位错的面密度——穿过单位截面积的位错线数，用ND表示： ND=N/S 式中，S为单晶截面积；N为穿过截面积S的位错线。;;谢谢观赏！