[工学]第3章存储器结构.pptVIP

第三章 AT89S52存储器结构 第三章 AT89S52存储器结构 3.1 存储器概述 3.2 AT89S52单片机的存储器结构 3.3 外部存储器及其访问 3.4 片内FLASH存储器操作 3.1 存储器概述 1、各种存储器的特点 2、AT89S52的闪速存储器Flash 3.2 AT89S52单片机的存储器结构 3.2.1 程序存储器 3.2.2 数据存储器 3.2.3 特殊功能寄存器SFR 3.2.1 程序存储器 1. 程序存储器的结构 2. 程序存储器中的中断矢量区 AT89S52单片机共有8个中断源，6个中断矢量。 当中断源发出中断请求且CPU响应中断后便转移到中断服务程序执行。 在程序存储器中为中断服务程序保留了一段特殊的区域，即0003H~0032H专门留给中断服务程序使用，被称为中断矢量区 。 中断服务程序的入口地址 3.2.2 数据存储器 AT89S52单片机的数据存储器地址空间分为芯片内部和外部两个部分 使用MOV类指令访问内部数据存储器 使用MOVX类指令访问外部数据存储器 外部数据存储器最大地址空间为64KB，地址范围为0000H~FFFFH 片内数据存储器地址空间分布 寄存器组分配 3.2.3 特殊功能寄存器SFR AT89S52芯片内部有128B的特殊功能寄存器区,占用256B的高128B（80H~FFH）地址 ，与片内RAM的高128B字节完全重叠，但两者在物理硬件上是完全独立的，可以用寻址方式来区别 其特殊功能寄存器增加到了32个(仅占用128B中的32B),与AT89C51相比增加了11个，与AT89S51相比也增加了6个 特殊寄存器对应表 对应表 可按位寻址的特殊功能寄存器的位地址 3.3 外部存储器及其访问 3.3.1 外部程序存储器与访问 3.3.2 外部数据存储器与访问 扩展外部程序存储器的连接方法 AT89S52单片机访问外部程序存储器所使用的控制信号 ALE 通过地址总线给出地址信号，选中程序存储器该地址的存储单元 由 发出读选通信号，在读选通信号的控制作用下，将存储在被选中存储单元中的指令代码读出并送至数据总线 单片机通过对数据总线的访问读取已送至数据总线的指令代码，完成一次对外部程序存储器的访问过程。 访问外部程序存储器的时序 3.3.2 外部数据存储器与访问 扩展外部数据存储器的连接方法 访问外部数据存储器的时序 3.4 片内FLASH存储器操作 3.4.1 签名字节及读出 1. 签名字节（标志字节） 所谓签名字节是Flash存储器的生产厂商在生产AT89S系列单片机时，写入到Flash存储器中的一组用以说明单片机的生产厂商、型号和编程电压等的特征信息。 AT89S52的签名字节共有3B，具体在存储器中的地址和含义如下表所示。 3.4.2 程序存储器的加密 程序存储器加密的概念 为了保护所存储程序的安全性，防止被非法读出，保护开发者的合法利益，需要对写入Flash存储器中的程序进行加密。 AT89S系列单片机提供了3位加密位LB1、LB2和LB3，对每位加密位可维持原来的非编程状态（U），也可进行编程（P） 2. 程序存储器加密的方法 对3位加密位LB1、LB2和LB3进行编程。 编程按照LB1→LB2→LB3的顺序按位进行 注意，在对各位加密位进行编程时，其控制信号是不同的。 3.4.3 Flash存储器的并行编程 1. Flash编程器的并行编程方式 AT89S52单片机的内部Flash存储器在出厂时处于可编程状态，除签名字节已经有存储数据外其它存储单元的内容均为FFH。 编程时需接12V编程电压，与通用的Flash编程器或EPROM编程器兼容，因此可使用常规的Flash编程器或EPROM编程器进行编程。 AT89S52单片机的编程以字节为单位，逐位编程。图3.4.1为并行编程的接口电路图。 3.4.4 Flash存储器的串行编程 1. Flash存储器的串行编程方式 2. Flash存储器的串行编程算法 2. Flash存储器的串行编程算法 表 3.4.3 程序加密位的保护模式 同模式3，并禁止外部存储器的执行。 P P P 4 同模式2，并禁止内部存储器校验。 U P P 3 禁止在外部程序存储器中执行MOVC类指令读取内部程序存储器中的指令代码; 被采样并在复位时被锁存；禁止对Flash存储器再编程 U U P 2 没有程序加密功能 U U U 1 LB3 LB2 LB1 组合加密功能 加密位 模式 13位的地址线 编程代码 高电平 编程负脉冲 宽度200~500ns 接地 12V编程电压 振荡频率为3~33MHz 准备就绪/忙 编程时控制