第二十六讲长的金属－氧化物－半导体场效应晶体管续讨论会.PDFVIP

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2018-02-28 发布于天津
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第二十六讲长的金属－氧化物－半导体场效应晶体管续讨论会

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第二十六讲 “长的”金属－氧化物－半导体场效应体管（续） 11 4 2002 月，内容： 1. 反型层传输（续） 2. 理想MOSFET 的电流电压特性阅读作业 del Alamo Ch. 9，§9.2 通知： 2 11 Rm. 50 340 Walker 7 30 9 30PM 13 24 6 8 MOS 测验：月，－（），：－：；第－内容（或－章包括三端结构）。开卷。带计算器。讨论会： 11 W. Gass TI Rm. 34 101 4 月－（）：数字信号处理：过去，现在和将来。－，下午点。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  一个MOSFET最重要的工作区是什么？  在栅压和漏压下，MOSFET 的漏电流的主要性能依赖是什么？  为什么在有些条件下漏电流会饱和？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 反型层传输（续）漂移与扩散的相对比较：或两种情况： kT V − V ( y ) − V ?  强反型： G th ，漂移相对于扩散占优势。 q 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo kT V − V ( y ) − V ;  接近开启： G th ，扩散是主要的 q 扩散在夹断点和压阈区是主要的。 [ ] □ 检测假定详细参见笔记：  缓变沟道近似大致意思是横向电场比纵向电场要小很多。 V V − V ( y ) − V ; 0 除了在 th 附近都满足，这里 G th  片电荷近似 n ( x , y ) x ε ( x , y ) 随的变化必须比快很多，或：等于（参见笔记）： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件