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3.3 CMOS 门电路;CMOS门电路的基本构成单元是MOS门电路。
MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。;3.3.1 MOS管的开关特性;一. MOS管的结构和工作原理; 当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义：
开启电压（ UT）——沟道刚开始形成时的栅源电压UGS。（一般2 ~ 3V）; 说明：
开关指的是D-S之间的开关。;;二、MOS管的输入特性和输出特性; 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线。
如：作uDS=10V的一条转移特性曲线：;3. N沟道耗尽型MOSFET; 4、P沟道耗尽型MOSFET;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;二、电压传输特性;3.3.3 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性;;二、输出特性（反映CMOS带负载能力）;2、高电平输出特性;tPLH：输出由低电平变为高电平的传输延迟时间;放电;;;1、与非门
;带缓冲极的CMOS门;;与OC门类似，能实现线与连接、电平转换，提高驱动能??。
电平转换：vI：0~VDD1 vO：0~VDD2;3. CMOS传输门（TG门）Transistor Gate;CMOS传输门的工作原理; 若C=1（VDD），C’＝0（0V）时：; 对TP管，讨论vI 在0~VTN段和VTN~VDD段的工作状态：;若将vI加在右端，RL加在左端，同理可分析，通过C和C’ 能控制 vI 从右向左传输，实现信号的双向传输。;传输门可作为模拟开关，传输连续变化的模拟信号。;4. 三态输出的 CMOS门电路;一、输入电路的静电保护
CMOS电路的输入端设置了保护电路，但是，这种保护是有限的。为避免静电损坏，应注意以下几点： ;本章小结
1. 半导体二极管和三极管的开关特性；
2. 二极管构成的与、或、非门电路；
3. 集成门电路－TTL门电路和CMOS门电路
以反相器为例，介绍了两种门的电路结构、工作原理和电气特性以及两种门的其它类型和应用。
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