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一、基本R-S触发器 低电平有效 1 2 Q Q R S 时序逻辑电路:能实现按一定程序进行运算,需要记忆功能。（含有双稳态触发器的逻辑电路称为） 触发器输出端有两种可能的稳定状态：0、1 基本R-S触发器的真值表 Ｒ　　Ｓ　　　Ｑｎ＋１ ０　　０　　　不定 ０　　１　　　０ １　　０　　　１ １　　１　　　Ｑｎ 基本R-S触发器的逻辑符号 Q Q R S （一） 同步R-S触发器 3 4 CP 时钟信号 直接置0 或置1 1 2 1、电路结构 R-S触发器的真值表 Ｒ　　Ｓ　　　Ｑｎ＋１ ０　　０　　　Ｑｎ ０　　１　　　 １ １　　０　　　 ０ １　　１　　　不定 SD Q Q R S C RD S R CP SD Q Q R S C RD S R CP （二） J-K触发器（主从型、主从触发） 1、电路结构 R S C 从触发器 R S C 主触发器 RD SD J-K触发器的真值表 J　　 K　　　Ｑｎ＋１ ０　　０　　　Ｑｎ ０　　１　　　 １ １　　０　　　 ０ １　　１　　　Ｑｎ * 本征激发：在热、光等外界能量作用下，一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 （本征激发电子、空穴成对出现） 电子、空穴---载流子 复习： N型半导体：自由电子浓度增大，导电能力大为增强。 自由电子浓度远大于空穴浓度，自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 P型半导体：带正电的空穴浓度增大，导电能力大为增强。 空穴是多子，电子是少子。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 PN结的形成 空间电荷区也称 PN 结。 多子的扩散运动 载流子的浓度差 内电场 少子的漂移运动 形成空间电荷区 PN结的内电场阻碍多子的扩散运动，推动少子的漂移运动。 PN 结加正向电压（正向偏置：P接正、N接负 ） 内电场被削弱， PN结变窄。 正向电流较大， PN结电阻较小，处于导通状态。 多子的扩散加强（形成电流） 。 PN 结加反向电压（正向偏置：P接负、N接正 ） 内电场得到加强， PN结变厚。 反向电流很小， PN结电阻很大，处于截止状态。 少子漂移加强（形成电流）、多子的扩散受双重阻碍。 单向导电性：PN结在正向偏置时有较大的正向电流（导通、电流由外部电流决定），在反向偏置时只有极小的反向电流（截止，电流为uA级）。 负极 正极 伏安特性 正向特性 反向特性 特点：非线性 U(V) I 0 0.5 1 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。 导通压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 反向电流在一定电压范围内保持常数(硅0.1μA) 反向击穿电压 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 理想二极管：正向管压降为零，反向电阻为无穷大的二极管。 实际特性： 半波整流： 负载电压和电流的计算 （半波整流） 整流二极管的选择 最大整流电流 反向工作峰值电压 稳压二极管 一、稳压管的伏安特性 稳压管正常工作时是在伏安特性曲线的反向击穿区(AC段)，在这个区内电流在较大范围内变化而电压UZ基本恒定，具有稳压特性。 适用于输出电压固定、输出电流不大、且负载变动不大的场合 稳压电路的稳压过程： 电网电压增加： 负载电流变化： Ui↑→UO↑→IZ↑→I↑→UR↑→UO↓ RL↑→IR↓→I↓→UR↓→UO↑→IZ↑→I↑→UR↑→UO↓ B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区： 最薄， 掺杂浓度 最低 发射区： 掺杂浓度 最高 集电结 集电区： 面积最大 一、基本结构 发射结 B E C 符号 B E C 符号 NPN型三极管 PNP型三极管 箭头所指方向是表示发射结正向偏置时的电流方向。 双极型晶体管:由两种载流子参与内部扩散、复合、漂移运动的半导体三极管。是放大电路的最基本元件。 二、工作状态 放大状态：发射结外加正向偏置，集电结外加反向偏置。 改变可变电阻RP时，基极电流IB，集电极电流IC和发射极电流IE都将发生变化。 PNP 发射结正偏 VEVBVC 集电结反偏 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VEVB VC 集电结反偏 B E C N N P EB RB EC RC 还有饱和状态、截止状态。 放大状态 三极管内部载流子的运动规律 B E C N