提高MSP430G系列单片机的Flash擦写寿命的方法-德州仪器.PDFVIP

Application Report ZHCA451 – July 2012 提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命的方法 Evan Lee MSP430 产品技术支持 摘要 在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内 部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在MSP430G 系列单片机中并不具 备EEPROM。为了存储非易失性数据，MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了256 字节的Flash 空间作为信息 Flash，可用于存储非易失性数据，但是由于Flash 与EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距，所以在实际应用中，这 种应用方式并不能够满足所有客户的需求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM，通过一定的软件 处理算法，可以大大增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。 目录 1 嵌入式Flash 存储介质与EEPROM 的主要特性对比3 1.1 不同的写访问时间3 1.2 不同的写方法3 1.3 不同的擦除时间………………………………………………………………………………………...3 2 增加Flash 模拟EEPROM 擦写寿命的方法4 2.1 虚拟地址加数据方案……………………………………………………………………………………4 2.2 划分子页方案 ……………………………………………………………………………………………5 2.2.1 软件描述 …………………………………………………………………………………………6 2.2.2 软件流程图 ………………………………………………………………………………………7 2.3 两种方案的对比分析 ……………………………………………………………………………………9 3 实际的嵌入式应用9 3.1 Flash 存储器擦写寿命的提升9 3.2 掉电时的异常处理………………………………………………………………………………………10 4 系统可靠性设计 10 4.1 时钟源的选择……………………………………………………………………………………………10 4.2 代码在RAM 中运行……………………………………………………………………………………10 5 总结 10 参考文档 10 图 图一. 页状态字的在页0 和页1 之间的切换4 图二. EEPROM 存储单元格式5 图三. 使用子页的方式模拟EEPROM 存储单元6 图四. 初始化流程 7 图五. 写入模拟EEPROM 数据流程 ……………………………………………………………………………..8 图六. MSP430G 系列单片机Flash 编程和擦除寿命9 图七. 使用关键字__ramfunc 将程序指定到Ram 中运行 10 1 ZHCA451 表 表一. EEPROM 与Flash 对比分析 3 表二. 两种方案的对比分析…………………………………………………………………………………..….…9 2