CSD18532Q5B60VN通道NexFET功率金属氧化物半导体场效应.PDFVIP

下载本文档

7
0
约6.89万字
约 13页
2018-02-18 发布于天津
举报
版权申诉

CSD18532Q5B60VN通道NexFET功率金属氧化物半导体场效应.PDF

1、本文档共13页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

CSD18532Q5B60VN通道NexFET功率金属氧化物半导体场效应

Product Order Technical Tools Support Folder Now Documents Software Community CSD18532Q5B ZHCSAK1C – NOVEMBER 2012 – REVISED MAY 2017 CSD18532Q5B 60V N 通通道道NexFET™功功率率金金属属氧氧化化物物半半导导体体场场效效应应晶晶体体管管(MOSFET) 1 特特性性产产品品概概要要 1 • 超低Qg 和Qgd TA = 25°C 典典型型值值单单位位 • 低热阻 VDS 漏源电压 60 V • 雪崩额定值 Qg 栅极电荷总量(10V) 44 nC • 逻辑电平 Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 6.9 nC • 无铅引脚镀层 VGS = 4.5V 3.3 mΩ RDS(on) 漏源导通电阻 • 符合 RoHS 标准 VGS = 10V 2.5 mΩ • 无卤素 VGS(th) 阈值电压 1.8 V • SON 5mm × 6mm 塑料封装订订购购信信