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2018-02-16 发布于天津
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CMOS_process相容模式

第十七章互補式金氧半導體製程技術類比CMOS積體電路設計 856 一般性考慮 MOS 元件的側視圖和上視圖。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 857 光微影術 (photolithography) 17.1 組成圖結構的每一層。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 858 光微影術 (a) (b) 使用微影術中的光罩；以光阻覆蓋於晶圓上； (c) (d) 光阻對於紫外光的選擇性曝光；在蝕刻後的曝光矽晶。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 859 氧化(oxidation) (Field Oxide) 場氧化層。二氧化矽乃是利用曝光後的矽放置於氧化的氣體環境中成長出來。閘氧化層的成長在製程中是一個非常關鍵的步驟，因為氧化層的厚度tox 決定電流的處理能力及電晶體的可靠度，所以它必須控制在幾個百分比的誤差範圍內。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 860 離子佈植(ion implantation) (a) (b) 離子佈植；倒退波形。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 861 離子佈植 (a) (b) 由於場區反轉產生的不理想傳導；通道中止佈植。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 862 離子佈植 (a) (b) 通道效應；傾斜佈植以避免通道效應。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 863 MOS 元件的製程步驟類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 864 MOS 元件的製程步驟類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 865 基本電晶體製造 (a) n+ 在多晶矽沉積之前形成區； (b) 自我調整結構(self-aligned) 。類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 866 後端處理 (a)氧化分離物(oxide spacer) ； (b)矽化物(silicide cond