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2018-02-16 发布于天津
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第7 章 CMOS 逻辑门电子学分析第7 章 CMOS 逻辑门电子学分析本章目录 7.1 CMOS反相器的直流特性 7.2 反相器的开关特性 7.3 功耗 7.4 DC特性：与非门和或非门 7.5 与非门和或非门的暂态响应 7.6 复合逻辑门的分析 7.7 逻辑门过渡特性设计 7.8 传输门和传输管 7.9 关于SPICE模拟 2017-9-7 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 1 §7.1 CMOS反相器的直流特性 1 逻辑摆幅V L 输出高电压：V =V 输出低电压：V =0V OH,max DD OL,min 逻辑摆幅：V =V －V =V L OH,max OL,min DD 逻辑摆幅等于全部电源电压值，称为全轨输出。全轨输出：full-rail output 或rail to rail output 2017-9-7 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 2 §7.1 CMOS反相器的直流特性 2 电压传输特性曲线（VTC ） V =0 OL 2017-9-7 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 3 §7.1 CMOS反相器的直流特性 2 电压传输特性曲线（VTC ）——可分为5个区域 A 区，≤V V ： 0 in Tn NMOS截止，PMOS导通； B 区，V V V −V ： Tn in out Tp NMOS饱和，PMOS非饱和； C区，V −V V V +V ： out Tp in out Tn NMOS饱和，PMOS饱和； D 区，V +V V V −V ： out Tn in DD Tp V =0