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光电子技术学课件之十四： ——第五章光电成像系统 （1）
§1 固体摄像器件 ;§0 光电成像概述;§1 固体摄像器件 ;固体摄像器件主要有三大类：
电荷耦合器件（Charge Coupled Device，即CCD）
互补金属氧化物半导体图像传感器（即CMOS）
电荷注入器件（Charge Injenction Device， 即CID）
目前，前两种用得较多，我们这里只分析CCD一种。;一、电荷耦合摄像器件 ;（1）、 CCD的基本结构包括：转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。构成CCD的基本单元是MOS电容。; 一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是P型或N型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极（栅极）。;（2）、电荷存储 ;（3）、电荷转移;（5）、电荷检测 （输出）; OG：输出栅，FD：浮置扩散??，R:复位栅，RD:复位漏,T:输出场效应管。; 电荷包的输出过程：VOG为一定值的正电压，在OG电极下形成耗尽层，使Φ3与FD之间建立导电沟道。在Φ3高电位期间，电荷包存储在Φ3电极下面。随复位栅R加正复位脉冲ΦR ，使FD 区与RD区沟通。因V RD为正十几伏的直流偏置电压，则FD区的电荷被RD区抽走。复位正脉冲过去后， FD 区与RD区呈夹断状态， FD 区具有一定的浮置。之后Φ3转变为低电位， Φ3电极下面的电荷包通过OG下的沟道转移到FD 区。; 对CCD的输出信号进行处理时，较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。 ;2、电荷耦合摄像器件的工作原理 ;（1）线阵CCD
线阵CCD可分为双沟道传输与单沟道传输两种结构。下图(a)为单沟道，(b)为双沟道。;;二、电荷耦合摄像器件的特性参数 ;;;;;
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