有哪些信誉好的足球投注网站- 1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
[信息与通信]现代半导体器件物理与工艺杂质掺杂详解
现代半导体器现代半导体器现代半导体器现代半导体器 件物理与工艺件物理与工艺件物理与工艺件物理与工艺 Physics and Technology of Modern Semiconductor Devices 杂质掺杂杂质掺杂 本资料来源于网络，版权归原著作所有，禁止使用于一切商业行为，仅供交流学习用！请在下载后24小时内删除！ 桂林电子科技大学 现代半导体器件物理与工艺 杂质掺杂 1 杂质掺杂 所谓杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内。杂质掺杂的实际应用 主要是改变半导体的电特性。扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要 方式方式。 高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来 完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表 面面，这些杂质浓度将从表面到体内单杂质浓度将从表面到体内单调下降降，而杂质分布杂质分布主要是由高由高温 与扩散时间来决定。 离子注入：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体 内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。 扩散和离子注入两者都被用来制作分立器件与集成电路扩散和离子注入两者都被用来制作分立器件与集成电路，，因为二者互补因为二者互补 不足，相得益彰。 本资料来源于网络，版权归原著作所有，禁止使用于一切商业行为，仅供交流学习用！请在下载后24小时内删除！ 桂林电子科技大学 现代半导体器件物理与工艺 杂质掺杂 2 本资料来源于网络，版权归原著作所有，禁止使用于一切商业行为，仅供交流学习用！请在下载后24小时内删除！ 桂林电子科技大学 现代半导体器件物理与工艺 杂质掺杂 3 基本扩散工艺 杂质扩散通常是在经仔细控制的石英高温炉管中放入半导体硅晶片并通 入含有所需掺杂剂的气体混合物。硅的温度在800-1200℃；砷化镓的温 度在度在600600℃。扩散进入半导体内部的杂质原子数量与气体混合物中扩散进入半导体内部的杂质原子数量与气体混合物中 的杂质分压有关。 对硅而言对硅而言，B、P和和As分别是常用的分别是常用的p型和型和n型掺杂剂型掺杂剂，它们在硅中都有极它们在硅中都有极 高的固溶度，可高于5 ×1020cm-3。引入方式有：固态源（BN、As2O3 、 P2O5）；液态源（BBr3、AsCl3 、POCl3）；气体源（B2H6、AsH3 、 PH3 ），其中液态源最常用。 使用液态源的磷扩散的化学反应如下使用液态源的磷扩散的化学反应如下：： 4POCl +3O → 2P O +6Cl 3 2 2 5 2 P2O5P2O5在硅晶片上形成在硅晶片上形成一层玻璃并由硅还原出磷层玻璃并由硅还原出磷，氯气被带走氯气被带走。 2P O +5Si → 4P +5SiO 2 5 2 本资料来源于网络，版权归原著作所有，禁止使用于一切商业行为，仅供交流学习用！请在下载后24小时内删除！ 桂林电子科技大学 现代半导体器件物理与工艺 杂质掺杂 4 对砷化镓的扩散工艺而言，因砷的蒸汽压高，所以需要特别的方式来防 止砷的分解或蒸发所造成的损失。包括含过压的封闭炉管中扩散及在含
文档评论（0）