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解读 flash memory Flash memory存储器的介绍 Flash memory的分类 Flash memory各种类型的比较 什么是Flash memory 1. Flash memory 又名闪存 ，是一种长寿命的非易失性的存储器，在断电的情况下仍能保存所存储的数据信息。 2.它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。 闪存的发展历史 在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性其且记录速度也非常快。与EPROM相比，它采用电可擦除，可10次重复擦除、擦写速度快、耗电量小。 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash，强调降低每比特的成本，拥有更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口都去数据。 闪存的分类 NOR Flash Flash 有两个栅极的特殊场效应管，一个是选择栅，另一个是浮栅极。通常情况下，漏极是高电平，表示1。编程时，栅极和漏极加较高的编程电压，源极接地，这样有热电子从源极流向漏极，便有电子聚集到浮栅，即使在断电的情况下也可长期保存。由于栅极漏极高电压，源极接地，场效应管导通，漏极电平为低，即数据0被写入。擦除时，源极接编程高电压，选择栅接地，漏极接地浮极上的电子将穿过势垒电压到达源极，失去电子。就意味着信息被擦除。 特点 1、具有可靠性高、随机读取速度快的优势 2、程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线 和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行 3、可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作 （擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大 ，操作费时） 用途：PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等 NAND Flash 编程时，在选择栅上加较高的编程电压，源极和漏极都接地，是电子穿越势垒到达浮极，并聚集在浮极，存储信息。擦除时，把电压反过来，从而消除了浮极的电子，达到消除信息的结果。这两个过程都是利用的隧道效应。 NAND Flash的特点： (1)以页为单位进行读和编程操作，1页为256B或 512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。 (2)数据和地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。 (3)芯片体积小，引脚少，是成本最低的固态存储器 (4)芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度） NOR Flash和NAND Flash的区别 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的擦除速度远比NOR的快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 SLC/MLC基本原理 什么是SLC和MLC？ SLC全称为Single-Level Cell，MLC全称为Multi-Level Cell。它们是NAND闪存两种不同的类型。SLC是单层单元闪存；而MLC是多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。 SLC芯片和MLC技术特点及区别 一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。SLC晶片可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数实际少于1万次。 A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC理论速度只能达到2MB左右，因此不能满足速度较高的要求。 B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的消耗。 C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命较SLC短。 D.MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。 NAND的各种存储卡 SM卡 即Smart Media（智能卡） ，是市场上常见的微存储卡，一度在MP3播放器上非