单晶硅表面力学行为的电致骤变效应中国力学学会.pdfVIP

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2018-02-06 发布于天津
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中国力学学会学术大会单晶硅表面力学行为的电致骤变效应马国军吴承伟刘天旭大连理工大学运载工程与力学学部工业装备结构分析国家重点实验室工程力学系大连摘要集成电路约都要采用单晶硅片作为沉底材料但单晶硅属典型硬脆材料加工过程中很容易产生亚表面损伤从而增加了后续加工的难度和成本与当今发展对硅片的高质量和低成本要求存在很大矛盾因此如何改进单晶硅片的加工技术方法是相关领域研究的热点和难点本文研究了电流场对单晶硅片表面硬度的影响发现电流场可以显著降低单晶硅片的表面硬度但这种效应与电流强度表面深度以及电流加载方式

中国力学学会学术大会2009 （CCTAM2009 ）单晶硅表面力学行为的电致骤变效应1) 2) 马国军，吴承伟，刘天旭 (大连理工大学运载工程与力学学部工业装备结构分析国家重点实验室工程力学系，大连 116024) 摘要：集成电路（IC ）约 90%都要采用单晶硅片作为沉底材料，但单晶硅属典型硬脆材料，加工过程中很容易产生亚表面损伤，从而增加了后续加工的难度和成本，与当今 IC 发展对硅片的高质量