第十章5 晶闸管的触发电路 机电传动控制课件 煤化学课件.pptVIP

* 10.5 晶闸管的触发电路 向晶闸管供给触发脉冲的电路，叫触发电路。 （1）单结晶体管触发电路 （2）小容量晶闸管触发电路 （3）晶体管触发电路 10.5.1 晶闸管对触发电路的要求 实质：晶闸管的可靠触发 （1）触发电路应能供给足够大的触发电压和触发电流，一般要求触发电压应该在4V以上，10V以下，如图所示； （2）触发脉冲的宽度必须在10微秒以上，如果负载是大电感，电流 上升比较慢，那么，触发脉冲的宽度还应该增大。 （3）不触发时，触发电路的输出电压应该小于0.15V～0.20V，为了提高抗干扰能力，避免误触发，必要时可在控制极上加上一个1V～2V的负偏压； （4）触发脉冲的前沿要陡，保证晶闸管的触发时间前后一致。 （5）在晶闸管整流等移相控制的触发电路中，触发脉冲应该和主电路同步，脉冲发出的时间应该能够平稳地前后移动（移相），移相的范围要足够宽。 10.5.2 单结晶体管触发电路 一、单结晶体管 单结晶体管是一种特殊的半导体器件，它有三个电极，一个发射极和两个基极，故又叫双基极二极管。 为分压比，其值为0.3-0.9 式中 1. 工作特性 2. 工作特点 发射极电压大于UP时，单结晶体 管导通； 导通后，发射极电压必须小于谷 点电压 UV时，单结晶体管才截 止。 UP—峰值电压 UV—谷点电压 二、单结晶体管的自振荡电路 利用单结晶体管的负阻特性和RC充放电特性，可组成自振荡电路，如图所示。 于是在电阻R1上形成脉冲电压，自振振荡器的振荡周期为 h - = 1 1 ln R1C T R1C电容C的充电时间常数 R1阻值较小，所以C的放电速度快，R阻值大，C放电后，降到谷底电压时，经R供给的电流小于谷点电流，不能满足导通的要求。 充电电阻R的阻值既不能太大，也不能太小，否则都会停止振荡。 R1、C的大小对触发脉冲的影响：输出脉冲的宽度 由电容C的放电时间常数决定，一般为数十微秒的脉冲宽度。 R1上输出的尖峰脉冲电压幅值Uom是由UP决定的，而UP=ηUbb+UD，所以如要增大Uom，可选η大一些的管子或提高电源电压（即加大Ubb）。 R2用以补偿温度对峰点电压UP的影响。 h - = 1 1 ln R1C T 三、单结晶体管触发电路 使触发脉冲与主电路电压同步。 向触发电路供电的变压器T（同步变压器）与主电路共一电源。 移相控制通过改变R，就可以改变电容电压UC上升到UP的时间，即改变电容开始放电产生脉冲使晶闸管触发导通的时刻，从而达到移相的目的。 10.6?晶闸管的串并联和保护 1.晶闸管的串并联电路 1)串联------均压 2)并联------均流 简单的并联将造成正向压降大的元件承担较小的电流，正向压降小的元件承担过大的电流，从而造成元件的损坏。 由于元件的正向与反向阻断特性不一致，各元件承受的正向或反向电压就不一样，承受电压高的元件可能被击穿，然后导致其他元件相继被击穿。 2.晶闸管的保护 晶闸管元件的过电压能力极差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也会使元件反向击穿损坏。 1）过电压保护 (1) 阻容保护：可以分别装在交流侧，直流侧，元件侧；也可以同时都装设。 电阻，电容的选择按经验进行或者查相关的表。 (2) 专门用于过电压保护的压敏电阻。 (3) 硒堆保护 阻容保护 *