普通二极管与雪崩二极管的区别.docVIP

普通二极管与雪崩二极管的区别 wqpye 发表于: 2009-3-12 11:18 来源:?半导体技术天地 1、GB6351是整流二极（包括雪崩整流二极管）的空白规范，从规范中，并不能看出普通整流管和雪崩二极管的区别。也就是说，我要用什么方法，才能确定一只二极管是不是雪崩二极管？2、雪崩击穿与热击穿的机理不一样，同样是击穿电压400V的二极管，在芯片扩散加工时，雪崩管与普通管的扩散加工的区别在哪里？请高手指点。先谢了。 必威体育精装版回复 wqpye at 2009-3-13 13:37:06 前文有错。望文生义，稳压二极管（ZENER DIODE）应该是利用隧道击穿，即ZENER击穿，但书上说，VB小于4V是隧道击穿，VB大于6V，是雪崩击穿。对于稳压值几十伏甚至几百伏的稳压管，是什么击穿机理？隧道击穿时，PN结能吸收较大能量，而雪崩击穿时，PN结则很容易烧毁。这是什么原因？ 返修中 at 2009-3-13 22:29:12 在强电场高搀杂PN结两恻可以形成隧道击穿 可以作成齐纳二极管也就是稳压二极管但雪崩二极管 没听说过...??雪崩击穿PN结热击穿不就永久损坏了吗其实也就是 隧道击穿可逆 二极管反向高电压 最多就是不工作 电压消失被强电场激发出来的价电子回到原来位置雪崩碰撞出来的电子空穴对 成对增加 速率快导致局部热效应又加快碰撞 恶性循环导致烧毁 所以不可逆不知道我理解对不 高人指点 wqpye at 2009-3-14 14:30:57 理论是说，发生雪崩击穿，即热击穿后，PN结被烧毁，不可恢复。但在实际的PN结击穿特性检测时，都会观察其击穿特性，对于高压管，VB都超过1000V，这时的击穿应该是雪崩击穿而不是隧道击穿。在进行这种测试后，PN结的性能并不会受影响。在外加电压较高时，稳压管可以承受较大的反向电流，而整流管则不能。对于击穿电压同样是400V的TVS管和整流管（使用同样面积的芯片），TVS对反向脉冲的吸收能力远优于整流管。因此，我的理解是两种产品的击穿机理是不同的。因此，我的问题是：我的这种理解是否正确？如果正确，这两种芯片的加工有何不同？请高手指点。 wqpye at 2009-3-14 14:35:57 所谓高掺杂是指衬底杂质浓度还是扩散杂质浓度？PN结的击穿电压主要依赖于低浓度一侧的杂质浓度，因此，高掺杂的衬底上不能制作高击穿电压的PN结。这种理解对吗？ wqpye at 2009-3-16 14:16:44 怎么很少人参与讨论啊？这个问题太简单了，没有回答的必要吗？ wqpye at 2009-4-06 13:13:59 对不起，我前面的问题有错误。雪崩击穿与热击穿有所不同，雪崩击穿是载流子碰撞的雪崩效应而发生的击穿，而热击穿是热载流子导致的击穿。但如何使PN结击穿时是雪崩击穿而不是热击穿？在扩散时采取什么方法才能保证形成的PN结在击穿时不是热击穿。雪崩击穿和热击穿如何区分？ huangyafa at 2009-4-13 20:19:48 楼主问的问题我也想知道，等待高人回答 wqpye at 2009-4-16 09:56:35 这个问题一直困扰我，希望得到指点。 crisxiao at 2009-4-16 11:22:12 1、你说的热击穿应该是指二次击穿,是由于PN界面上散热不均匀（或者PN结上一些点的击穿过低，电流都往这些点集中），导致一些点过热，硅溶了，导致不可逆的击穿（不过二次击穿的机理有好几种说法）2、雪崩击穿是指在当外加电场到了一定的数值，电离率大增，载流子在高速运动中碰撞晶格，轰出新的电子和空穴，新的电子和空穴继续碰撞产生跟多的空穴和电子，产生雪崩效应，形成电流，出现击穿，当电场撤销后，载流子失去动能，就会恢复原样，所以这个击穿是可逆的，不是破坏性的，这个电场的临界值就是击穿电压。这个击穿电压大小是受到载流子浓度和势垒宽度变化而变化的。3、隧道击穿指PN结在反向电场的作用下，会使PN结的能带变得十分倾斜（禁带变窄），当电场强度到了一定的值，P区满带的电子会穿过禁带直接进入N区的导带，就像火车过隧道一样。这个发生穿越的电场强度就是隧道击穿的击穿电压，这个击穿也是可逆的，不管你势垒的厚薄，直要电场强度足够，就可以发生隧道击穿。一个PN结击穿时起作用的是隧道还是雪崩呢？就要看哪个先击穿了，例如在掺杂浓度高，势垒薄的情况下，由于势垒薄，载流子在电场加速下，还达不到雪崩倍增所需要的动能，所以这种击穿是隧道击穿起作用。而掺杂浓度低，应而势垒较厚在还未出现隧道击穿的时候，雪崩已经出现了，这种情况下就是雪崩击穿起作用了 ufei2006 at 2009-4-16 15:51:49 收藏了 保留 woshinishu at 2009-5-14 22:03:20