MCS-51系列单片机原理及接口技术第2版邹振春第七章节单片机接口技术.pptVIP

2）时钟命令字 时钟命令控制字的分频值N 1 0 0 D4 D3 D2 D1 D0 D5 D6 D7 D7、D6、D5=001：时钟命令字的特征位。 8279内部所需时钟为100KHZ，为达到此要求，可对输入时钟信号CLK进行分频，分频值由时钟命令控制字的低五位给出，其值在2～32间。 D7、D6、D5=010：读FIFO/传感器RAM命令特征位。 D2、D1、D0：FIFO/传感器RAM的字节地址，三位地址可寻址的范围为0～7。 D4 ：自动增量AI控制位，当AI=1时，每次读传感器RAM后地址自动增1，指向下一个RAM存储单元。下一次读数时读出的即为下一个存储单元，而不必再设置读FIFO/传感器RAM命令。在键盘工作方式时，不必用此条命令。 传感器字节地址 X AI 0 1 0 D2 D1 D0 D3 D4 D5 D6 D7 3）读FIFO/传感器RAM命令 4）读显示RAM命令 显示存储单元字节地址 AI 1 1 0 D3 D2 D1 D0 D4 D5 D6 D7 D7、D6、D5=011：读显示RAM命令特征位。 D3、D2、D1、D0：显示存储单元地址，可选择范围为0～15。 D4 ：显示单元地址自动增量AI控制位。当AI（D4）=1时，每次读出显示单元内容后地址自动增1，指向下一个显示地址。 5）写显示RAM命令 显示存储单元字节地址 AI 0 0 1 D3 D2 D1 D0 D4 D5 D6 D7 D7、D6、D5=100：写显示RAM命令特征位。 D3、D2、D1、D0：显示单元地址。 D4 ：显示单元地址自动增量AI控制位。当AI（D4）=1时，每次写显示单元内容后地址自动增1，指向下一个显示地址。 6）写显示禁止/显示消隐命令 BLB BLA IWB IWA X 1 0 1 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D7、D6、D5=101：写显示禁止/显示消隐命令特征位。 D3、D2=IWA、IWB：显示A、B两组的禁止写入控制位，当其为1时禁止写入显示数据。此命令一般用于显示分两组的情况，当一组显示数据需要更新，而另一组显示不需要变化时可用此命令进行写显示单元。 D1、D0=BLA、BLB：显示消隐特征位，可对两组显示输出进行消隐。BL=1时消隐，BL=0时正常显示。 7）清除命令 总清控制位 清FIFO 清除显示方式控制 0 1 1 D0 D1 D4 D3 D2 D5 D6 D7 D7、D6、D5=110：清除命令特征位。 D4、D3、D2：清除显示工作方式，当D4=1时清显示RAM，此时D3、D2编码组合决定清除RAM的方式： D3 D2 0 X 显示RAM全部清零。 1 0 将显示RAM全部置成20H。 1 1 将显示RAM全部置成FFH。 当D4=0时,若D0=0则不清除显示RAM；若D0=1则清除显示RAM的方式由D3、D2的编码决定。 D1：清除传感器RAM控制位。当D1=1时传感器RAM被清除，同时中断申请线IRQ被复位，传感器读出地址被置为0。 D0：总清除控制位。当D0=1时，清除显示RAM及传感器RAM，清除显示RAM的方式由D3、D2编码决定；当D0=0时清除工作方式由D4、D3、D2及D1 决定。 8）结束中断/置错误方式命令 X X X X 工作方式 1 1 1 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D7、D6、D5=111：结束中断/置错误方式隐命令特征位。 D4：结束中断/错误方式控制，D4=1有效。该控制命令有两种作用： ?结束中断命令。在传感器方式中，当传感器状态发生变化时IRQ变为高电平，向CPU申请中断，并禁止写入传感器。若AI=0，则CPU从传感器RAM中第一次读出数据后，IRQ即被清除；若AI=1，则CPU读出传感器RAM中的数据时并不清除IRQ，需通过该命令使IRQ变低。 ?置错误方式。当8279键盘工作在N键轮回方式时，该命令为置错误方式。在8279 削抖周期内，若有多个键同时被按下，则置位FIFO的状态字的特征位S/E，同时中断申请线IRQ被置位并禁止写入FIFO RAM。 4.8279的状态字 8279的FIFO状态字主要用于键盘和选通工作方式，用以标示FIFO RAM中的字符数及有无错误发生。 N N N F U O S/E DU D2 D1 D0 D3 D4 D5 D6 D7 D7=DU ：显示无效特征位。DU =1时显示无效。该位在清除显示RAM或全清命令未完成时置位即DU=1。 D6=S/E ：传感器结束/错误标