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2018-01-22 发布于贵州
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WFF7N60(7N60)精选

WFF7N60 WFF7N60 WWFFFF77NN6600 SiliconN-ChannelMOSFET SiliconN-ChannelMOSFET SSiilliiccoonnNN--CChhaannnneellMMOOSSFFEETT Features � 7A,600V,R (Max 1.2Ω)@V =10V DS(on) GS � Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) � Fast Switching Capability � 100%Avalanche Tested � Isolation Voltage(V =4000VAC) ISO � Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This Power MOSFETis produced using Winsemis advanced planar stripe,VDMOS technology.This latest technology has been especially designed to minimize on -state resistance,have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant topology line a electronic lamp ballast,high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VDSS Drain Source Voltage 600 V Continuous Drain Current(@Tc=25℃) 7* A ID Continuous Drain Current(@Tc=100℃) 4.1* A IDM Drain Current Pulsed (Note1) 26 A VGS Gate to Source Voltage