电子技术基础导学案：晶体三极管及基本放大电路.docVIP

晶体三极管及基本放大电路 第1课时 课题：2.1 晶体三极管（第一、二课时） 【学习目标】： 通过对各种不同的实际情况的分析、判断、探索，培养学生的计算应用能力。 了解晶体三极管的结构； 掌握晶体三极管的电流分配关系。 【重点难点】： 晶体三极管电流分配关系 【导学过程】： 预习新知： （一）、知识链接 1、N型半导体是在本征半导体中摻入 形成的， 多， 少。 2、P型半导体是在本征半导体中摻入 形成的， 多， 少。 （二）、自主学习 1、结构与分类 （1）．外形 填写下列三极管的封装形式 （ ） （ ） （ ） （ ） （2）、结构 二、课堂导学 （一）、引入 三极管的核心是两个互相联系的PN结，按两个PN结的组合方式不同，可分为（ ）型和（ ）型两类。 （二）、自主学习汇报 三极管内部有发射区、基区和集电区，引出电极分别为发射极e、基极b、集电极c。发射区与基区之间的PN结称为发射结，集电区与基区之间的PN结称为集电结 （3）.分类 三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类： 按半导体制造材料可分为：（ ）管和（ ）管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在自动控制设备中常用硅管。 按三极管内部基本结构可分为：（ ）型和（ ）（型两类。目前我国制造的硅管多为NPN型(也有少量PNP型)，锗管多为PNP型。 按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为（ ）管，工作频率在3MHz以下为（ ）管。 按功率可分为：（ ）管和（ ）管。耗散功率小于1W为小功率管，耗散功率大于1W为大功率管。 按用途可分为：（ ）三极管和（ ）三极管等。 （三）、教师点拨 2、三极管的电流放大作用 （1）．三极管放大条件 要使三极管能够正常放大信号，发射结应加正向电压，集电结应加反向电压。 NPN管偏置电路 PNP管偏置电路 电源VCC通过偏置电阻Rb为发射结提供正向偏置，RC阻值小于Rb阻值，所以集电结处于反向偏置。 （2）．三极管的电流放大作用 三极管各电极电流关系的测量电路 三极管电流分配关系：IE=IC+IB 三极管电流放大倍数：β = Δ IC /ΔIB 当ΔIB有一微小变化，就能引起ΔIC较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。 在实际放大电路中，除了共发射极联接方式外，还有共集电极和共基极联接方式。 共发射极接法 共基极接法 共集电极接法 （四）、课堂练习 1、三极管具有两个PN结： 结， 结；还有三个区， ， ， 。 2、放大电路的基本性能是具有 能力 3、三极管输出特性曲线可分为 、 和 三个区域。 （五）课堂小结 1、三极管结构 2、电流分配与放大 【课后作业】： 【总结反思】： 课题：2.1 晶体三极管（第3、4课时） 【学习目标】： 1、掌握共射极输入和输出特性，理解其含义； 2、了解三极管主要参数的含义，了解器件手册的查阅方法 3、学会三极管的测试方法 【重点难点】： 三极管主要参数及测试方法 【导学过程】： 一、预习新知： （一）、知识链接 1、三极管具有两个PN结： 结， 结；还有三个区， ， ， 。 2、三极管放大条件 。 3、电流分配关系 。 （二）、自主学习 1、三极管的特性曲线 （1）．输人特性曲线 输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线，它是在输出电压VCE为定值时，iB与vBE对应关系的曲线。 当输入电压vBE较小时，基极电流iB很小，通常近似为零。 当vBE大于三极管的死区电压vth后，iC开始上升。 三极管正常导通时，硅管VBE约为0.7V，锗管约为0.3V，此时的VBE值称为三极管工作时的发射结正向压降。 （2）．输出特性曲线  输出特性曲线是反映三极管输出回路电压与电流关系的曲线，是指基极电流IB为某一定值时，集电极电流IC与集电极电压VCE对应关系的曲线。 截止区 习惯把IB=0曲线以下的区域称为截止区，三极管处于截止状态，相当于三极管内部各极开路。在截止区，三极管发射结反偏或零偏，集电结