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3、鼠标点击如右图圈注之所示recipe,进入到 process chamber recipe界面 4、在process chamber recipe界面里可以进行制程方面参数之修改，如右图之所示，修改完程式后一定要点击“保存”按钮 5、鼠标点击“system按钮，进入到系统界面，将正在运行的recipe按“stop停止，然后选择将要运行之新程序，先按load按钮载入新程序，然后按start按钮，开启新程序 6、在PECVD控制台界面之右上角，如右图所示位置，鼠标右键点击图示圈注之位置，选择Logoff，完成系统退出之状态 CA制程参数修改SOP2 1、在PECVD控制台界面之右上角，如右图所示位置，鼠标右键点击图示圈注之位置，选择Login，弹出对话框，输入帐号及密码，完成系统登录之状态 2、在PECVD控制台界面之右下角，如右图所示位置，鼠标点击process chamber，进入制程工艺参数界面 3、在process chamber界面，可以进行更改power值、传输速度、heater1、heater2、heater3的温度、heater1加热时间 4、在PECVD控制台界面之右下角，如右图1所示位置，鼠标点击gas system，进入gas system界面,在gas system系统界面可以更改NH3与SIH4之流量 5、在PECVD控制台界面之右上角，如右图所示位置，鼠标右键点击图示圈注之位置，选择Logoff，完成系统退出之状态 CA折射率异常OCAP n值可在范围 2.08±0.05 确认程式是否正确（PE） 确认是否正常产品（PE） 根据产品更改程式（PE） 根据产品更改程式（PE） YES NO NO 确认设备是否有维修或更换石英管(PE) 检查设备状况（EE） YES 确认N值在范围以内 YES NO YES YES T值确认（参考T值确认OCAP） 调整NH3：SiH4流量 折射率异常 NO CA膜厚异常OCAP T值可在范围87.0±4.0nm 膜厚异常 确认程式是否正确（PE） 确认是否正常产品（PE） 根据产品更改程式（PE） 根据产品更改程式（PE） 确认设备是否有维修或更换石英管(PE) 检查设备状况（EE） NO YES YES YES NO YES NO 判断T值偏差类型（PE） 全面性色差 均匀性不佳 调整Power输出值 Rlease 确认T值在范围以内（PE） NO YES 调整速度 确认T值在范围以内（PE） NO Rlease YES 备注：1. 调整速度时， 抗反射膜大于规格，则需提高速度  抗反射膜小于规格，则需降低速度 2. 调整power输出值时，左power对应右膜厚，即 提高左边的power值，则右边膜厚提高 提高右边的power值，则左边膜厚提高 Thank You DelSolar Confidential DelSolar Confidential DelSolar Confidential 王富善 制造工程部 2010.08.05 扩散及镀膜工艺教育训练 Cell Structure 制绒蚀刻 抗反射层 电极 扩散层 Splitting I 晶片分離 I Alkaline Texture 化學鹼蝕刻 Laser isolation OX Removed 氧化層去除 AR Coating 抗反射膜沉積 Printing Dry 網印及乾燥 IR Firing 燒結 Testing Sorting 測試及分類 Package 包裝 Diffusion 磷擴散 生產流程介紹 磷擴散目的 磷擴散(diffusion) 在P type 晶片表面製造出PN接面所需的N層(N Layer)。 P-silicon Diffusion Phosphorus layer (N-type) P-silicon 磷擴散 反應化學式 功能介紹 擴散源: POCL3(phosphorous oxychloride) 製程反應步驟： 4POCL3+3O2--2P2O5+6CL2 2P2O5+5Si--4P + 5SiO2 製程參數 Deposition Temperature Drive-in Temperature Deposition Time Drive-in Time Pocl3 Flow O2 Flow bubbler temperature bubbler N2 flow ambient pressure Basic system