1-6 变频器中常用电力电子器件.pptVIP

（2）晶闸管的导通和阻断控制 导通控制： 在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，同时在它的门极和阴极间也加正向电压形成触发电流，即可使晶闸管导通。 阻断控制： 门极电流为零，且将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下。 晶闸管的阳极与阴极间的电压和阳极电流之间的关系，称为阳极伏安特性 作业 （1）晶闸管的导通和阻断条件如何？晶闸管的保护有哪些？ （2）IGBT具有哪两者的优点? （3）IPM的主要特点如何？ 1-6 变频器中常用电力电子器件 引入：逆变管的通断时间问题，要求高 1.功率二极管（大电流、大电压） 伏安特性：类似普通二极管，正向特性/反向特性 分类： 普通型/快恢复型 2.晶闸管 （1）晶闸管： 四层（P1N1P2N2） 三端（A、K、G） 器件 （3）晶闸管阳极伏安特性 （4）晶闸管的过电流保护 1) 快速熔断器保护 (见下图） 2）过电流继电器保护。过电流继电器可安装在交流侧或直流侧。 3）限流与脉冲移相保护。 3.门极可关断晶闸管（GTO） GTO(Gate Turn-off)的结构也是四层三端器件 导通条件： 关断条件： 门极控制电路结构示意图 GTO的门极控制电路：开通电路、关断电路和反偏电路 GTO桥式门极驱动电路的工作原理是：当V1与V2饱和导通时，形成门极正向触发电流，使GTO导通；当触发VT1、VT2导通时，形成较大的门极反向电流，使GTO关断 GTO桥式门极驱动电路 GTO优点：电流大，耐压大，大容量 GTO缺点：关断大脉冲，频率不高 4.电力晶体管（GTR或BJT） a) GTR的结构示意图 b)GTR摸块的外形　c) GTR摸块的等效电路 属于复合管： 优点：开关时间短，工作区宽 缺点：基极驱动功率大，频率难以提高 注意事项：3种状态，禁止放大状态 5.功率场效应晶体管（P-MOSFET） a) P-MOSFET的结构 b) P-MOSFET符号 Power MOS Field-Effect Transistor类似场效应管特性，电压控制器件 优点：驱动功率小，开关效率高 缺点：工作电流不大 6.绝缘栅双极型晶体管（IGBT） a) IGBT模块 b)IGBT结构示意图　 c)电路符号　 d)等效电路 Insulated Gate Biopolar Transistor 相当于复合（MOSFET+ GTR），综合了两者驱动功率小，开关速度快；电流大，导通压降低的优点。 7.智能功率模块(IPM) IPM内含过流（OC）保护、短路（SC）保护，使检测功耗小、灵敏、准确； IPM内含欠电压（UV）保护，当控制电源电压小于规定值时进行保护； IPM内含过热（OH）保护，可以防止IGBT和续流二极管过热，在IGBT内部的绝缘基板上设有温度检测元件，结温过高时即输出报警（ALM）信号，该信号送给变频器的单片机，使系统显示故障信息并停止工作。 IPM还内含制动电路，用户如有制动要求可另购选件，在外电路规定端子上接制动电阻，即可实现制动。